NiO yarıiletken ince filmlerinin SILAR tekniği ile büyütülmesi, yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

NiO, ZnO ve CdO gibi geçirgen oksit malzemeler, optoelektronik ve fotovoltaik aygıt teknolojisindeki potansiyel uygulamalarından dolayı çok önemli materyallerdir. NiO ince filmi, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği kullanılarak cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Filmin yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri farklı analiz teknikleri ile karakterize edildi. X-ışını kırınımı ve Taramalı elektron mikroskobu ölçümleri yüzeyin iyi bir şekilde kaplandığını ve polikristal yapıda olduğunu gösterdi. Optiksel soğurma ölçümleri ile filmin yasak enerji aralığı belirlendi. Filmin ışık şiddeti ile özdirenç değişimi iki nokta prob tekniği kullanılarak incelendi ve filmin özdirenç değerinin sıcaklık artması ile azaldığı belirlendi. Anahtar Kelimeler: NiO, ince Film,SILAR,Yapısal, Optik ve Elektriksel Özellikler

Transparent conducting oxides, such as NiO, ZnO and CdO thin films are very important materials because of their potential applications in optoelectronic and photovoltaic device technology. NiO thin film was grown on glass substrates using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. The structural, optical and electrical properties of the film was characterized with different analysis techniques. The Xray diffraction and scanning electron microscopy measurements showed that the films are covered well on substrates and have polycrystalline structure. With the help of optical absorption measurements, it was determined that band gap values of the film. The resistivity variation with light intensity of the films was investigated using the two-point probe technique and it was determined that the resistivity of the films decreased with increased temprature. Keywords: NiO, Thin Film, SILAR, Structural, Optical and Electrical Properties