Yarı iletkenlerde fazlalık taşıyıcılar ve yaşam sürelerinin incelenmesi

Abstract

Ill ÖZET YSRltLETKENLERDE FftZT.ftT.TK T&ŞIYICZLAR VB YAŞ2M İSÜRKTiKR t N J'Vf İHGELEHMESİ Sedat ZEYREK Yüksek Lisans Tezi, Fizik Bölümü Danışman: Prof. M.Selaml KiLiçKftYA Eylül, 1995 Bu çalışıaada elektronik aygıtların en önemli unsuru olan yarıiletkenlerin; yapısı, optik özellikleri incelenmiştir. Ayrıca pek çok yarıiletken aletin karakteristiğini belirlemede kullanılan, yarıiletkenlerin temel fiziksel parametrelerinden biri olan fazlalık taşıyıcılar ve yaşam süreleri incelenmiştir. Bilindiği gibi yarıiletkenler, dışarıdan başka bir etki olmadığı müddetçe sabit bir sıcaklıkta ısıl dengededirler. Bu durumu; elektron, ısı, elektrik, yüksek enerjili radyasyon veya ışık yoluyla bozarak fazlalık taşıyıcıları oluşturmak mümkündür. Bu dengesizlik durumları, fazlalık taşıyıcılar yönünden incelenmiştir. Oluşan fazlalık taşıyıcıların birleşmeleri, Shockley-Read birleşme teorisiyle beraber çok geniş bir şekilde araştırılmıştır. Kristal momentum ve tuzak merkezlerinin yarıiletken numunelerde, fazlalık taşıyıcı yaşam süresine etkisi vurgulanmıştır. Son olarak fazlalık taşıyıcıların yaşam sürelerinin ölçümü için direkt metod olarak kullanılan birkaç teknikden bahsedilmiştir. Anahtar Kelimeler: Fazlalık taşıyıcılar, Fotoiletkenlik, Fazlalık Taşıyıcı Yaşam Süresi, Oluşum ve Birleşim

summary excess carreers ıh semiconductors and THE STUDY OF THEIR LIFETIME ZEYREK Sedat Master Thesis, Department of Physics Supervisor: Erof.M.Selami KILICKAYA September, 1995 In this study the structure and optic features of semiconductor which constitute one of the most Important part of electronic apparatus have been investigated. In addition, excess carriers and their lifetime which are used to determination of semiconductor device's characteristic and that is one of the basic physical parameter of semiconductors have been studied. As we know, unless there is any effect from outside semiconductors are in thermal balance at a stable temparature. It is possible to form excess carriers by destroying this situation by means of electron, temparature, electric, radiation with high energy. These unbalanced situation, has been investigated having regard to excess carriers. The combination of formed excess carriers has been researched by recombination theory of Shockley-Read. The crystal momentum and trapping center at semiconductor samples, the effect to the excess carriers lifetime has been emphasiyed. Finally, it is mentioned about a few techniques which are used as a direct method for the measurement of excess carriers lifetime. Key words: Excess Carrier, Photoconductivity, Excess Carrier Lifetime, Generation and Recombination