Spray pyrolysis metodu ile elde edilen CdS`in filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

IV Spray Pyrolysis Metodu ile Elde Edilen CdS:In Filimlerinin Bazx Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi. ÖZET Spray Pyrolysis metodu kullanarak farklı taban sıcaklıklarında Kadmiyum indiyum Sülfür filimleri elde edilmiştir. Deneyde taşıyıcı gaz olarak azot gazı kullanılmıştır. Elde edilen Cd0.Bln0.2S filimlerinin kalınlıkları 130-140 pm arasında bulunmuştur. Cd0.aIn0.2S filimlerinin I-V karakteristiklerinin lineer olduğu görülmüş ve filimin özdirençleri 14xl06-17xl06 £2-cm arasında değiştiği hesaplanmıştır. Bütün f ilimlerin iletkenlik türleri, sıcak-uç metodu kullanarak n-tipi oldukları belirlenmiştir.Elektronik endüstrisinde ve günlük yaşamımızda önemi tartışılmayacak kadar büyük olan yarıiletkenlerin kullanım alanları oldukça geniştir. Elde edilen f ilimlerin yasak enerji aralıklarının değeri optik metot ile belirlenmiştir. Spray Pyrolysis metodu ile elde edilen Cd0.aIno.2S filimlerinin absorbans spektrumları elde edilmiştir. Absorbsiyon spektrumundan bant yapısının direkt bant olduğu ve Cdo.8Ino.2S filimlerinin yasak enerji aralığı 2,45-2,46 eV arasında değiştiği bulunmuştur. Filimlerin kristal yapıları x-ışını kırınım desenlerinden heksagonal, tetragonal, monoklinik ve ortorombik oldukları görülmüştür. Filimlerin yüzey fotoğrafı optik mikroskopta çekilmiştir. Elde edilen Cdo.8Ino.2S filimlerinin fiziksel özellikleri, taban sıcaklığına bağlı olarak bazı değişiklikler gösterdiği kaydedilmiştir. Anahtar Kelimeler: indiyum Katkılı Kadmiyum Sülfür, Spray Pyrolysis, Elektrik ve Optik Özellikler, Kadmiyum Sülfür.

The investigation of Some Physical Properties of CdS:In Films that Obtained By Spray Pyrolysis Method. v SUMMARY Cdo.3Ino.2S films have been obtained different substrate temperatures by using Spray Pyrolysis method. Nitrogen has been used as the carrier gas. The thicknesses of Cd0.sIn0.2S films determined by means of the measuring method have been found to be between 130 and 140 yaa. I-V characteristics of all the films were linear. The resistivities of the films have been found 14. 106 and 17. 106 Cl em under darking conditions. The type of the conductuvity of all Cdo.3Ino.2S films determined by using hot probe method showed n-type conduction. The importance of semiconductors in electronics industry and everday life is not arguable. Althoughtheir use open spaces are so wide. The f orbiden energy gap values of Cdo.8lno.2S films have been determined from absorption spectra by means of the optical method. Absorbance spectras of the Cdo.3Ino.2S films which were produced by the Spray Pyrolysis, have been obtained. It was seen that these direct band gap with the values between 2,45 eV and 2,46 eV. The crystal structure of Cd0.8In0.2S films have been determined from the x-ray spectra and seen to own hexagonal, tetragonal, monoclinic and ortorombic structure. The surface pictures of Cdo.3Ino.2S films have been taken by using the optical microscope. It was absorved from these pictures that the surface of the films were not smooth.