A üssü III B üssü VI kristallerinde schottky engelleri alınması

Abstract

IV A^^ KRİSTALLERİNDE SCHOTTKY ENGELLERİ ALINMASI Mehmet KABAY Fen Bilimler Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, Yüksek Lisans Tezi, 1999 Tez Danışmanı: Prof. Dr. Hasan Memmedov Mecid ÖZET AIIIBVI Kristalleri ile farklı metallerin lehiminde oluşan Schottky engellerini araştırdık. Araştırmalarımızı AIIIBVI bileşikleri grubundan seçilmiş GaSe kristallerini içermektedir. Aynı yüzeyli düz paralel kenar şekilli hazırlanmış GaSe kristaline in, Ga, Sn, In-Ga, Te, Ag gibi lehimler yüksek sıcaklıkta yapılmıştır. M-AIIIBVI -M yapısında oluşan Schottky Engeli doğrultucu özelliğe sahiptir. T=290 °K de bu doğrultucu özellik katsayısı 10 civarında değişir. M-GaSe-M (Metal-In, Ga, Te, Ag, Sn) sistemini gerilim-akım (Voltamper karakteri, VAK) farklı sıcaklıklarda ölçülmüştür. Alınmış sonuçların araştırılmasında farklı Schottky Engellerinin büyüklüğü bulunmuştur. Sistemin fotovoltaik olayı araştırılmasında tüketme tabakasına ışık düşerken uyarılan elektron ve boşlukları Schottky Engeli elektrik alanı ile ayrılmasından kaynaklandığı gösterilmiştir. Alınmış tüketme tabakasının fotoelektrik özellikleri A,=0,63 /xm dalga boyuna sahip lazer ışını ile incelenmiştir. Fotoinjeksiyon etkisi alınmıştır.

THE SCHOTTKY BARRIES IN SOLDERING Am B^ CRYSTALS Mehmet KABAY Departmant of Physics, M.S.Thesis, 1999 Thesis Supervisor: Prof. Hasan Memmedov Mecid SUMMARY In this Project, The Schottki, Barries in soldering Am BVI crystals with different metals, are investiated these invertigation, GaSe crystals, chosen from the group of the Ain BVI compaund. The solders like In, Ga, Sn, In-Ga, Te, Ag were soldered to the GaSe crystal that was with mirror surface and flat parallel -edge, in high temperature. Schottki barrier, formet in the M-A111 B^ - M contraction, has a property of putting staight. In the temperature of T=290 K this property of putting staight coefficient is approximately 10. The votage-carrent (V-I) Characteristic of the M-GaSe-M (Metal) -In, Ga, Te, Ag, Sn system was measured in different temperatures. By the results of investigations, the magnitude of the different schottki harries were found out. In the phto-voltaic investiation of the system, when the light fall to consumptin layer cresiting electron holes caused by seperation of schottky barrier elektric field were illustrated. The properties of the obtained consumption layer were investigated by the laser with k=0.63um wave lenght and photoinjection effect was obtained.