AIII BVI kristallerinde eksiton etkileri

Abstract

IV ADIBVI KRİSTALLERİNDE EKSİTON ETKİLERİ Temel Çakır Fizik Bölümü, Yüksek Lisans Tezi, 2002 Tez Danışmanı : Prof. Dr. Hasan Memmedov ÖZET Bu çalışmada, Ge, Se, Si katkılı ve katkısız AIII BVI kristallerinin fotoelektrik özelliklerini araştırdık. Bu kristallerin tabakalı yapılan sayesinde kolayca istenen kalınlıkta kristal alabildik ve bu kristallerin yüzeylerine farklı metallerden M1 AIII BVI -M2 yapılan elde etmek için lehimler yaptık. Elde edilen M1 AIII BVI -M2 yapılarının temas bölgelerinde Schottky tabakası ve engeli oluşturuldu. Bu tüketilmiş tabakalar yüksek fotoiletkenlik ve fotovoltaik özellikler sergiledi. Karanlık ve lazer ışını aydınlatması altında yapılan deney sonuçlarından enjeksiyon yoluyla yaniletkene geçen elektronların tuzak merkezlerinde yüksek yoğunlukta depolandığı ve uygun bir lazer ışını ile bu elektronların iletkenlik bandına uyarılarak iletkenlikte artış meydana getirdiği belirlenmiştir I-V ve C-V analizleri difüzyon teorisine göre yapılmıştır. Fotoiletkenlik süreçlerde maksimum eksiton durumları ile bağlı olduğu gösterilmiştir. T = 77 K de elektrolüminesans spektrumunun maksimumunda eksiton yüzeyinden olan yeniden birleşim ışımasına bağlı olduğu düşünülmüştür. Anahtar Kelimeler : Eksiton Etkileri, Tabakalı Yarıiletken Kristaller

EXCITON EFFECTS IN AIIIBVI CRYSTALS Temel Çakır Departmant of Physics, M.S.Thesis, 2002 Thesis Supervisor: Prof. Dr. Hasan Memmedov SUMMARY In this present work, we have searched the photoelectric properties of Ge, Se, Si doped Am B^ crystals. Due to the layered structures of these crystals we could easily take crystals at desired thickness and we soldered different metals on surface of this crystals in order to have Mr Ara B71 -M2 structures. At the contact region of as created Mr Ara B^ -M2 the Schottky layer and Schottky barrier has been formed. These depletion regions exhibited a high photo conductivity and fotovoltaic behavior. According to the result made in dark and at illumination of laser light and it have been suggested that, the electrons passing to the semiconductor by injection trapped at high amounts at the trapping centers increase the conductivity if they can be sample is illuminated by stimulative laser light. I-V and C-V analyses have been made according to the Diffusion theory. In photoelectric grosses have been shown that it is due to the exciton states. At 77 Kat maximum electroluminescence spectrum is due to the recombination process from exciton states. Key Words: Exciton Effects, Layered Semiconductor Crystals.