Bor katkılı silisyumun optiksel özellikleri

Abstract

Araştırmadaki amaç bor katkılı silisyumun optik özelliklerini, x ışını ve FTIR spektrumu ile incelemektir.Katı materyaller, kristal bir yapı oluştururlar. Silisyum, kristallerden oluşmuş bir materyaldir. Silisyum kristali bor ile katkılandığında p-tipi bir yarıiletken bileşiği oluşur. Araştırmada kullanılan spektroskopik metodlar, hangi tür moleküllerin hangi tür ışımayı soğuracakları sorusunu yanıtlar. Bu yolla, araştırmada kullanılan bileşiğin yapıları incelenebilir. Değişik ışıma türlerinin soğurma spektroskopilerinde kullanılması ile yapıya ilişkin örneğin yasak enerji aralığı, absorbans, transmittans, yansıma, kırılma indisi v.b. optik özellikleri hakkında bilgi edinilebilir. Bu özelliklere dayanılarak, bu yarıiletken bileşikleri nanoteknoloji, güneş pilleri, transistör ve diyotlar gibi cihazlarda kullanılmaktadır. Czochralski yöntemiyle elde edilen yarıiletken bileşiğinin optik özellikleri incelenerek, bu uygulama alanları için kullanılabilirliği araştırılmıştır.

The aim in this study the optical properties of boron doped silicon are examineted by x ray and FTIR spectroscopies.Solid materials consist of crystal structure. Silicon is a material which consist of crystals. When the crystal of silicon is doped with boron, the atoms in the crystal structure bond eachother with covalence. Thus, type-p which is a semiconductor compound is formed. The use spectroscopies methods in the work, reply the question of which molecules absorb which radiation. In this wise, boron doping silicon used in the search absorbed radiation types, absorbans intensity, that is to say through examined spectrum, the structure of molecules are found and absorbans spectroscopies of different radiation types are used so we are informed about the energy gap of example which related to the structure absorbans, transmittans, reflection, indice of diffraction etc. optical properties. By virtue of these properties, nanotechnology whish is implementation scope of these semiconductor compound is used in the battery of sun, transistor, and diode etc. device. The method of Czochralski, optical properties of semiconductor compound are examined. It is important that examine for these implement scope which are usable.