EM diffraction modeling with numerical methods
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Elektromanyetik saçılma teorisi elektromanyetik dalgaların nesnelerle veya yayıldığı ortamlarla etkişemini anlamak için çok önemlidir. Bir objeden saçılan alanlar başlıca yansıyan, kırılan, kırınan alanlardan oluşur. Bunların dışında whispering-galley, creeping vb. alanlarda mevcuttur fakat tüm bu alanlar yansıyan, kırılan ve kırınan alanların birbirleriyle etkileşimlerinden dolayı oluşur.Elektronik cihaz tasarımında bütün saçılma mekanizmaları göz önünde bulundurulmalıdır. Örneğin, savaş uçağı tasarımcısı gelen radar sinyalini radar vericisine doğru yönlendirecek yansıtıcı yüzey kullanımından olabildiğince kaçınmalıdır. Bir diğer örnek olarak, günümüzün elektronik devreleri oldukça fazla bileşen ve devre yolundan oluşur. Dış ortamdan gelen istenmeyen elektromanyetik radyasyon birden fazla saçılma mekanizmasına maruz kalarak devredeki kritik bileşenlere ulaşabilir. Bu yüzden elektromanyetik uyumluluk (EMC) mühendisleri cihazlardaki kritik parçaları çeşitli ekranlama teknikleriyle koruma altına almalıdırlar. Son bir örnek olarak, cep telefonu tasarımcıları insan kafasına doğru yayılan elektromanyetik enerjiyi özgül emilim oranını (SAR) düşürmek için yansıtmalıdırlar. Bu işlem cep telefonlarının arka yüzeyinin özel materyallerle (ör. süper elektriktriksel iletken), kaplanılmasıyla gerçekleştirilir. Bahsettiğimiz tüm uygulamalar saçılma teorisinin iyi bir biçimde anlaşılmasıyla mümkündür.Yansıma ve kırılma saçılma mekanizmaları uzun süreden beri herkes tarafından bilinen Snell yasası ile incelenmektedir. Diğer taraftan, kırınım saçılma mekanizması için bu şekilde bir formülasyon bulunmamaktadır. Kırınan alanların kesin/tam çözümleri sadece belli başlı kanonik geometriler (ör. Kama, küre ve silindir) için bilinmektedir. Bunun yanında bu çözümler genelde yüksek frekanslarda (dalga boyunun obje boyutlarından çok küçük olduğu durumlarda) yavaş yakınsayan sonsuz seri formatındadır. Bu yüzden bu çözümlerin kullanım alanları sınırlıdır. Kesin çözümleri kullanmakta karşılaşılan sorunları ortadan kaldırmak için geometrik kırınım teorisi (GTD), fiziksel kırınım teorisi (PTD) gibi metotlar geliştirilmiştir. Bu metotlar problemin kesin çözümü kullanılarak elde edilmiştir ve kırınım mekanizmasını sadece yüksek frekanslarda analiz etmek için kullanılabilir. Günümüzün modern ve yüksek hızlı bilgisayarları kırınım mekanizmasını analiz etmek için nümerik yöntemlerin kullanımına izin vermektedir. Zamanda sonlu farklar metodu (FDTD), moment metodu (MoM) ve sonlu elemanlar metodu (FEM) bu amaçla kullanılabilmektedir. Tüm bu nümerik metodlar geniş bir frekans aralığında kullanılabilir ve frekans üst limiti kullanılan bilgisayarın kaynaklarına bağlıdır.Bu tez kapsamında çift uçlu kırınım modeli (Bölüm 3), yumuşak-sert şerit kırınım modeli (Bölüm 4) ve zaman domeninde kenar akımları modeli (Bölüm 5) adlı üç adet yeni kırınım modeli zaman domeninde FDTD yöntemi ile geliştirilerek nümerik kırınım teorisine katkıda bulunulmuştur. Çift uçlu kırınım modeli çalışmasında iki boyutlu dikdörtgensel nesneden oluşan kırınan alanlar çeşitli gelen dalga açısı ve dikgörtgen kalınlığında incelenmiştir. Sonuçların doğruluğu MoM metodu kullanılarak sağlanmıştır. Yumuşak-sert kırınım modeli çalışmasında, bir tarafı yumuşak diğer tarafı sert sınır koşuluna sahip iki boyutlu şerit geometrisinden kırınan alanlar zaman domeninde elde edilmiştir. Model halihazırda var olan MoM çözümü kullanılarak doğrulanmıştır. Son olarak, zaman domeninde kenar akımları modeli çalışmasında iki boyutlu kama geometrisinin çizgisel kaynak tarafından aydınlatılması sonucunda yüzeyde indüklenen kenar akımları zaman domeninde elde edilmiştir. Daha sonra kenar akımlarından dolayı oluşan kenar alanları hesaplanmış ve model hali hazırda var olan MoM ve PTD çözümü ile doğrulanmıştır. Electromagnetic scattering theory is crucial to understand interaction of electromagnetic waves with objects and medium in which it propagates. Scattering fields are formed primarily by reflected, refracted and diffracted fields. There are also other wave phenomenon such as creeping waves, whispering-galley waves, etc. but all these phenomenon are formed by the interaction of reflected, refracted and diffracted fields. Each scattering phenomenon should be considered carefully in the design of electronic devices. For example, warplane designer should minimize radar cross section (RCS) by avoiding reflective surfaces that may direct incoming radar wave towards radar receiver. Another example is that, today's electronic circuits contain so many components and conductive traces. Unwanted incoming radiation can reach critical components by being subjected to various scattering mechanisms. Therefore, EMC engineers should protect important parts of the devices by applying shielding techniques. As a final example, mobile phone designers should control the electromagnetic energy radiated towards human head to reduce specific absorption rate (SAR) value. This is accomplished by covering the back side of mobile phone with specific materials e.g. perfect electric conductor (PEC) materials. All these applications require extensive knowledge on scattering theory.Reflection and refraction phenomenon has long been analyzed via well-known Snell's law. On the other hand, diffraction is much more difficult to analyze. There is no simple formulation to analyze diffraction. Exact solutions of diffracted fields are only known for a limited number of geometries such as wedge, sphere, and cylinder. In addition, these solutions are generally in the form of infinite series that are slowly convergent at high frequencies (i.e. when the wavelength is very small compare to the object size). Hence their applicability is limited. High frequency asymptotic (HFA) methods such as geometric theory of diffraction (GTD) and physical theory of diffraction (PTD) are developed to overcome this difficulty. These methods are derived from the exact solution of the problem and can be used to analyze diffraction mechanism at high frequencies. With today's high speed modern computers, it is also possible to analyze diffraction phenomena numerically. Numerical methods such as finite difference time domain (FDTD), method of moments (MoM) and finite element method (FEM) can be used for this purpose. These methods are used in broad range of frequencies and the upper frequency limit depend on the computer's resources.In this dissertation, we advanced the numerical diffraction theory by proposing three novel time domain based diffraction models: double tip diffraction model (Chapter 3), soft-hard strip diffraction model (Chapter 4) and time domain fringe current model (Chapter 5). In double tip diffraction model study, we obtained diffracted fields around 2D rectangular object for various incidence angles and rectangle thicknesses with FDTD method. The verification is performed with MoM model. In soft-hard strip diffraction model study, diffracted fields around a 2D canonical strip geometry with one face hard and the other face soft boundary condition (BC) is obtained with FDTD method. The model is verified with existing MoM solution. Finally in time domain fringe current model, we obtain fringe currents that are induced on 2D wedge geometry that is illuminated by a line source. We then calculate fringe waves radiated by fringe currents and verified proposed model with existing PTD and MoM solutions.
Collections