Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi

Abstract

ÖZET Doktora Tezi DÜŞÜK BOYUTLU YARIİLETKEN HETERO YAPILARDA ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİN ALAN ALTINDAKİ DEĞİŞİMİ Esin KASAPOĞLU DOKTORA TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI Haziran- 1999 Danışman Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmanın ilk aşamasında simetrik-asimetrik GaAs/Ga1-_xAlxAs tek ve çift kuantum kuyularındaki eksiton bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak potansiyel simetrisi, kuyu genişliği ve büyütme doğrultusuna paralel olarak uygulanan mağnetik alanın fonksiyonu olarak hesaplandı. Daha sonra tek ve çift kuantum kuyularında elektrik alan altındaki bantiçi geçişlerin yapı simetrisine ve elektrik alana bağlılığı incelendi. Son olarak, eğik mağnetik alan altında tek kuantum kuyusundaki taban durum eksiton bağlanma enerjisi eğim açısına, mağnetik alana ve kuyu genişliğine bağlı olarak hesaplandı. ANAHTAR KELİMELER: Eksiton Bağlanma, asimetrik kuantum kuyusu, mağnetik alan, optik soğurma

ABSTRACT PhD The Field Dependence of The Electronic and Optical Properties in The Low Dimensional Semiconductor Heterostructure Esin KASAPO?LU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics June- 1999 Supervisor: Prof. Dr. Ismail SÖKMEN In this study, the binding energy of excitons in symmetric-asymmetric GaAs/Ga1_xAlxAs single and double quantum wells is calculated variationaliy within the effective mass approximation as a function of the potential symmetry, quantum well widths and magnetic field. Intersubband transitions in the single and double quantum wells under the electric field are analyzed as a function of the potential symmetry and electric field. Ground state of exciton binding energy in the single quantum well in a tilted magnetic field is calculated as a function of the tilted parameter- 0, magnetic field and well width. Key words: Exciton binding, asymmetric quantum well, magnetic field» optical absorbtion