GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri

Abstract

n ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaAs - AlGaAs n - p DİYOTUN DIŞ ELEKTRİK VE MANYETİK ALAN ALTINDA ALT BANT POPÜLASYONLARI VE ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİ ASLAN TÜRKOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI MAYIS 2002 Danışman: Prof. Dr. YÜKSEL ERGÜN Büyütme doğrultusu ile 0°-30° arasında açı yapacak şekilde uygulanan dış manyetik alan altında bulunan ve sol tarafında GaAs kuantum kuyusu içeren AlGaAS n-p diyot için Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elde edilen bu çözümler kullanılarak enerji özdeğerleri hesaplandı. Manyetik alan ve yörünge merkezinin değişimine karşı enerjideki değişim hesaplandı. ANAHTAR KELİMELER: Eğik Manyetik Alan, Elektrik Alan, AlGaAs n-p diyot, Yörünge Merkezi

ni SUMMARY MSc Thesis SUBBAND POPULATIONS AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs-AIGaAs n-p DIODE JJNDER EXTERNAL ELECTRIC AND MAGNETIC FIELD ASLAN TURKOGLU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2002 Supervisor: Prof. Dr. YÜKSEL ERGUN For AlGaAS n-p diode under external tilted magnetic field (0°-30° with growth direction) including GaAS quantum well in its left side, the Schrodinger equation is solved anaticalry. By using these results eigen energies are calculated. The alteration of energy due tö magnetic field and orbit center is calculated. KEY AVORDS: Tilted magnetic field, Electric field, AlGaAs n-p diod, orbit Center.