Heteroyapılarda alan altında kutuplanabilirlik ve fotoiyonizasyon tesir-kesiti hesabı

Abstract

Bu çalışmada donor katkılı simetrik GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum kuyusu vekuantum telinde impurity bağlanma enerjisi, fotoiyonize tesir kesiti vekutuplanabilirlik etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak, sisteminayarlanabilir fiziksel parametreleri (kuyu genişliği, safsızlık atomununkonumu) ve dışarıdan uygulanan manyetik ve elektrik alanın bir fonksiyonuolarak hesaplandı.ANAHTAR KELİMELER: Kuantum Kuyusu, Kuantum Teli, İmpurityBağlanma Enerjisi, Fotoiyonize Tesir Kesiti, Kutuplanabilirlik, ElektrikAlan, Manyetik Alan.

In this study, we have calculated the donor impurity binding energy, donor-impurity related photoionization cross-section and the polarizability insymmetric GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells, and quantum wires as a functionof the impurity positions, dimensions of the structures and external electricand magnetic field, the calculations were performed within the effective massapproximation, using a variational method.KEY WORDS: Quantum Well, Quantum Wire, Donor İmpurity BindingEnergy, Photoionization Cross -Section, Magnetic Field, Electric Field.