Üçlü kuantum kuyularındaki hidrojenik sistemlerin elektronik ve optik özelliklerinin dış alanlar altındaki değişimi

Abstract

Bu çalışmada, elektrik ve manyetik alan altındaki GaAs/GaAlAs üçlü kuantumkuyusundaki donor safsızlık atomunun bağlanma enerjisi, kuyu ve engel genişliklerine,merkezi kuyunun derinliğine ve safsızlık atomunun konumuna göre etkin kütleyaklaşımında varyasyonel olarak incelendi. Donor bağlanma enerjisinin temel olaraküçlü kuantum kuyusundaki elektronik dalga fonksiyonun uzaysal dağılımına bağlıolduğu ve dışalanların şiddetine (elektrik ve manyetik alan) çok duyarlıolduğubulundu.ANAHTAR KELİMELER: Donor safsızlık atomları, Donor bağlanma enerjisi, Üçlükuantum kuyusu, Elektrik ve Manyetik alanlar

In this study, the binding energy of the donor-impurity in GaAs/GaAlAs triplequantum well under the electric and magnetic fields as a function of the well and barrierwidths, the depth of the central-well potential and the position of the donor atom iscalculated by using variational scheme in the effective mass approximation. The donorimpuritybinding energy presents characteristic features determined fundamentally bythe spatial distribution of the electronic wave function within the triple-well structure.We found that the binding energy of the donor impurity strongly depends on thegeometry of the triple quantum well and external electric and magnetic fields.KEYWORDS: Donor impurity, Donor binding energy, Triple quantum well, electricand magnetic fields.