Safsızlık düzeyleri arasındaki kızılötesi geçişler üzerine elektrik alan etkisi

Abstract

Bu çalışmanın ilk aşamasında yarı iletkenler, düşük boyutlu sistemler ve seyreltik III-N-V yarıiletkenler hakkında genel bilgi verilmiştir. Daha sonra GaInNAs/GaAs tek kuantum kuyusundaki 1s, 2s and 2p± donor safsızlık enerji düzeyleri üzerine elektrik alan, azot ve indiyum konsantrasyonlarının etkisi etkin kütle yaklaşımı çerçevesinde varyasyonel yöntemle incelenmiştir. Sonuçlar donor safsızlık atomunun konumu ve kuyu genişliğinin bir fonksiyonu olarak sunulmuştur.

In this study firstly, general information about semiconductor, low dimensional systems and dilute III-N-V semiconductors were given. Then, the effect of electric field, nitrogen and indium concentrations on the 1s, 2s and 2p± like donor impurity energy states in a single GaInNAs/GaAs quantum well are investigated by variational approach within the effective-mass approximation. The results are presented as a function of the well width and the donor impurity position