Grafen transistörlerin elektriksel parametrelerinin belirlenmesi

Abstract

Grafen, bal peteği örgüsü seklinde sıkıca paketlenmis karbon atomlarının düz tek tabakasıolarak tanımlanmaktadır. Bu sıkıca bağlı iki boyutlu madde, birçok uygulamalarda heyecanuyandıran yüksek sağlamlık, üstün termal ve elektriksel iletkenlik gibi olağanüstü özelliklersergiler. Tek tabaka grafenler, 285 nm termal oksitli silisyum alttas üzerine mekanik ayrılmametoduyla hazırlanır. Bu tek tabaka grafenler optik mikroskobu ve daha sonra RamanSpektroskobisiyle karakterize edilir. Sonra elektriksel ölçümler yapmak için, alttas olaraksilisyum kullanılarak grafen tabakalar üzerine grafen alan etkili transistor üretilir. Buçalısmanın asıl amacı; atmosfer, vakum, nem altında ve farklı sıcaklık değerlerinde grafeninelektriksel parametrelerini incelemektir.

Graphene is defined as flat monolayer of carbon atoms tightly packed into a honeycomblattice. This strictly two-dimensional (2D) material exhibits a range of unusual properties,such as excellent electrical and thermal conductivities and extremely high strength, whichhold great promise in many applications. Mechanical exfoliated single layer graphene sheetsare transfered on silicon wafer which have 285 nm thermal oxide. These single graphenelayers are characterized by optical microscopy and then Raman Spectroscopy. In order tomeasure electrical characteristics, graphene field effect transistor is fabricated on thegraphene sheet by using the silicon substrate as backgate. The main objectives of this studyare to explore electrical parameters of the graphene under the atmosphere, vacuum, humidityand different temperature.