Yarı iletkenlerin optik özellikleri

Abstract

Elektronik endüstrisinde ve günlük yaşamımızda önemi tartı şılmayacak kadar büyük olan yarıiletkenlerin optik özellikleri ol dukça geniş kapsamlıdır. Bu çalışmada yeteri kadar enerjiye sahip bir fotonun sogurulması Ve valans banddan iletim bandına bir elektron geçişi ele alınmıştır, Valans banddan bir elektronun iletim bandına geçişi, bir foton soğurularak, iki türlü olmaktadır; i) direkt geçiş, li) indi- rekt geçiş. Bunlardan birincisinde valans ba ndında ki elektronun i letim bandına geçmesi sonucu momentumunda bir değişiklimin olmama sıdır. Diğerinde ise iletim bandına geçen elektronun momentumunun valans bandındaki durumuna göre farklı olmasıdır. Bu durumda momen tumun korunumu için bir fononun oluşumu veya soğurulması- söz konu sudur. Püskürtme yöntemi ile elde edilen Aglnü^. ve od-^b-ü bileşik lerinin temel absorbsiyonu elde edilmiştir. Abscrbsiyou spektrumla- rından, bu iki bileşikte de direkt geçiş olduğu, bir başka deyişle, band yapılarının direkt band olduğu ve AgInS2 bileşiğinde yasak e nerji aralığı 1.94 eV ve Cd-Pb-ö bileşiğinde de 2.25 eV olarak be lirlenmiştir. Od-Pb-S bileşiğinde 1,44 eV olarak ölçülen ' ikinci bir band aralığının nereden kaynaklandığı belirtilememiş an cak bileşikte bulunan PbS'ün etkisinin önemi vurgulanmıştır.

The importance of semiconductors in electronics industry and everyday lii'e is not arguable. Although- their optical properties are so wide, in this study we looked at the absorbtion of a photon with enough energy that results the creation of an electron-hole pair. The transition of an electron from the valance band by an absorbtion of a photon to the conduction band takes place in two.ways; i) direct transition, ii) indirect transition. In the former, there will not be a change in the momentum of an electron during the transition from the valance band to the conduction band. Whereas in the latter, the momentum of an electron will differ during the transition. In order, the momentum to be conserved either a phonon: is created or absorbed. Fundamental absorbtion of the AgInS2 and Cd-Pb-S films which were produced by the `spray-pyrolysis`, have been obtained. It was seen that these two oompounds ov/n direct band gap with the values of 1.94 eV for the AgInS2 and 2.25 eV for the Gd-Pb-S 'films. The second band gap value of 1.44 eV for the Cd-Pb-S films was also observed but it could not be clearly identified. We think that the presence of PbS in.the' compound is the possible reason of this anomaly.