Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen Zn ilaveli CuInS2 filmlerinin bazı fiziksel özellikleri

Abstract

Bu çalışmada, CuInS2 yarıiletken bileşiği içerisine %10-50 arasında değişen oranlarda Zn ilave edilerek Cu(Zn)InS2 filmlerinin bazı fiziksel Özellikleri incelenmiştir. Filmler spray pyrolysis yöntemiyle 225-275 °C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin p-tipi oldukları ve yasak enerji aralığı değerlerinin 1,51-2,70 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Temel absorpsiyon spektrumlarından geçirgenlik, yansıma, kırılma indisi, sönüm katsayısı ve dielektrik sabitleri grafikleri çizilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin chalcopyrite ve hegzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) fotoğraflarından yüzey morfolojileri incelenmiştir ve filmlerin hemen hemen homojen yapıda oldukları görülmüştür. Anahtar Kelimeler: CuInS2, Yarıiletken, Spray Pyrolysis, Temel Absorpsiyon, Chalcopyrite

In this thesis, some physical characteristics of Cu(Zn)InS2 films were studied 10-50% of Zn was added into the semiconductor CuInS2. The films were grown by the spray pyrolysis method at 225-275 °C substrate temperatures. It was determined that the films were p-type and band gap energy values were ranged between 1,51-2,70 eV. The transmission, reflectivity, refractive index, extincition coefficient and dielectric coefficient graphics were obtained from the fundamental absorption spectra. By means of X-ray difractions, the films were determined to exhibit chalcopyrite and hegzagonal structures. The surface morphologies were studied via scanning electron microscopy (SEM) and shown that films have almost been homogenous structure. Keywords: CuInS2, Semiconductor, Spray Pyrolysis, Fundamental Absorption, Chalcopyrite