Farklı çözücüler ve farklı kaplama kalınlıklarının, sol-jel yöntemi ile üretilen er katkılı ZnO tabanlı yarıiletken nano ince filmlerinin yapısal, elektrik ve optik özellikleri üzerine etkisi

Abstract

Yaptığımız çalışmada, nano boyutlu malzemelerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılan yöntem olan sol-gel yöntemi ile daldırılarak kaplama sistemi kullanılarak ?? (Erbiyum) katkılı ??? tabanlı yarıiletken nano ince filmler üretilmiştir. ??1−????? sistemli ince filmler farklı çözücüler kullanılarak farklı kaplama kalınlıklarında hazırlanmıştır. Yapılan katkılanmanın ve film kalınlığının yapısal, elektrik ve optik özellikleri üzerine etkileri detaylı bir şekilde incelenmiştir. Karşılaştırma yapmak için aynı şartlarda katkısız numune de üretilmiştir. Üretilen yarıiletken nano ince filmlerin faz analizi ve örgü parametrelerinin belirlemesi için ? ışınları kırınımı analizi (???), mikroyapı incelemeleri için ise taramalı elektron mikroskobu (???) ölçümleri yapılmıştır. Elektriksel özelliklerini belirlemek için özdirenç, optik özelliklerini belirlemek için ise geçirgenlik ölçümleri gerçekleştirilmiştir

In this study, ?? doped ??? based semiconducting nano thin films are produced by the sol-gel method using dip coating method is the most widely used method for preparing nano size materials. ??1−????? thin films are prepared different coating thickness using different solvent. The effect of the Er doping and film thickness on structural, electric and optic properties of the ??? semiconducting nano thin films is investigated in detail. For comparison, undoped sample is prepared in the same conditions. ?-ray diffraction analysis (???) is used to determine phase analysis and lattice parameters of the semiconducting thin films and scanning electron microscope (???) measurements are made for microstructure properties. The resistivity measurement for electrical properties and transmittance measurement for optic properties are carried out.