Yüksek özdirençli P-tipi silisyumda sıcaklığa bağlı enine magnetorezistans

Abstract

Bu çalışmada, oda sıcaklığında özdirenci 1150 ûcm olan P-SI kristalinden <001> ve <1Î0> tipi numuneler ve ayrıca ışınlama etkisine bakmak için <001> tipi kesilen kristallerden bir kısmı 1012 nötron/cm2-sn akıya sahip bir termal ve hızlı nötron karış mı şua ile 45 dk ışınlanarak hazırlandı. Her üç numune için, 120-290 K aralığında alınan enine magnetorezistans ve Hail ölçüleri kullanılarak enine magnetorezistans katsayısı, Hail katsayısı, magnetorezistans mobilitesi, Hail mobi'itesi, sürüklenme mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu değerleri hesaplandı. Hesaolama sonuçlarına göre enine magnetorezistans katsayısının <1Î0> numunede <001> numuneden daha büyük ve ışınlanmış <001> numunedekinin ışınlanmamışınkine göre daha büyük olduğu gözlendi. <001> ve <lTo> numunelerde sıcaklık azaldıkça enine magr etorezistans katsayısının 160-290 K arasında arttığı, 120-160 K arasında azaldığı gözlendi. Işınlanmış <001> numunede ise sıcaklık azaldıkçca enine magnetorezistans katsayısının 120-290 K aralığında arttığı gözlendi. Hail katsayısı, Hali mobilitesi, sürüklenme mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu <001> ve <1Î0> numunelerde yaklaşık aynı değerlere sahip olmasına rağmen, ışınlanmış <001> numunede taşıyıcı konsantrasyonunun artmasından dolayı bu büyüklüklerin değiştiği tesbit edildi.

this study, <001>, <1Î0> samples are prepared from p-SI crystals having the resistivity 1150 cm2-sn at the room temperature. In aditlon, some of <001> samples are irradiated by mixed termal and fast neutrons having a flux of Q= 1012n/cm2-s for 45 minutes to study radiaton effect. The transverse magnetorezlstance and Hall coefficient, magnetoresistance, Hall and drift mobility, carrier concentration are calcu'ated by using transverse magnetorezlstance and Hall mensurments in the range 120-î:90 K. According to the results, the transverse magnetoresistance coefficient of the <110> sample is greater than <001> sample and irradiated <001> samples have greater values than unirradiated <001> samples. The transverse magnetoresistance increases by decreasing the temperature at the temperature range 160-290 K and decreases by decreasing the temperature at the temperature range 120-160 K.The transverse magnetoresistance coefficient of the Irradiated <001> sample increases by decreasing the temperature at temperature range 120-290 K. Hall coefficient, Hall mobility, drift mobility and carrier concentration on <001> and <1Î0> samples have same values. However these parameters depend on the change of the carrier concontration.