Yüksek özdirençli n-tipi Si da sıcaklığa bağlı galvanomagnetik özellikler

Abstract

ÖZET Oda sıcaklığındaki özdirenci 1400 0,-cra. olan <001> ve <110> tipi n-Si numunelerinde 210-320 K sıcaklık aralığında magnetorezistans ve Hail ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak enine ve boyuna magnetorezistans katsayıları, Hail mobilitesi, anizotropi parametreleri, taşıyıcı konsantrasyonu ve elektriksel iletkenlik değerleri hesaplandı. <flûl> ve <110> tipi numunelerde enine ve boyuna magnetorezistans etkisinin benzer eğilim gösterdiği gözlendi. <001> tipi numunede hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi <1 1 0> tipi numunesindekinden daha büyük olduğu tesbit edildi. <001> ve <lT0> tipi numunelerde 210-240 K aralığında artan sıcaklıkla birlikte hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi artmakta, 240-320 K sıcaklık aralığında ise artan sıcaklıkla enine ve boyuna manetorezistans etkisi azalmaktadır. Her iki numunede magnetorezistans etkisinin sıcaklıkla değişimi, anizotropi parametrelerinin sıcaklıkla değişimiyle uyum içerisindedir. <001> ve <110> tipi numunelerde taşıyıcı konsantrasyonunun ve elektriksel iletkenliğin artan sıcaklıkla arttığı, Hail mobilitesinin 260 K' e kadar arttığı ve 260 K' den sonra azaldığı gözlendi.

11 SUMMARY Hall and magnetorezistance measurements are made at the temperature range 210-320 K in <001> and <110> n-Si having the resistivity 1400 CI cm at the room temperature. The transverse and longitidunal magnetorezistance coefficients and Hall mobility, anisotropy parameters, carrier concentration and electrical conductivity are calculated by using Hall and magnetorezistance measurements. The transverse magnetorezistance variation is similar to the longitidunal magnetorezistance variation in <001> and <110> n-Si samples. It is observed that, in <001> sample, the transverse and logitidunal magnetorezistance coefficients are bigger than that <1 1 0> sample. In both sampels the variation of magnetorezistance with temperature is similar to the variation of anizotropy parameters with temperature. In <001> and <1 10> samples, the transverse and longitidunal magnetorezistance coefficents increase with increasing temparature at the temperature range 210-240 K and decrease with increasing temparature at the temperature range 240-320 K. The carrier concentration and electrical conductivity increase with increasing temparature and Hall mobility increase up to 260 K and decrease with increasing temparature after 260 K.