InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET InSe ve InSe:Bi (%0.05 ve 0.5) yarıiletken bileşikleri. Stockbarger tekniğine dayah Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Büyütülen kristallerin elektriksel özellikleri, sıcaklığa bağlı Hail ve özdirenç ölçümleri ile araştırıldı. Katkılı numunelerde incelenen sıcaklık aralığında özdirencin arttığı, taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin azaldığı gözlendi. Katkısız ve katkılı numunelerdeki aktif merkezlerin iyonizasyon enerjileri sırasıyla ikili donor ve tek donor-tek akseptör modelleri kullanılarak tayin edildi. Yüksek ve alçak sıcaklıklarda taşıyıcı hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının sırasıyla homopolar optik fonon saçılması ve iyonize olmuş kirlilik saçılması olduğu belirlendi. SUMMARY InSe and InSe:Bi (0.05 and 0.5 wt.%) semiconducting compounds were grown using Directional Freezing method which modified form of Stockbarger technique. Electrical properties of grown crystals were determined as a function of temperature by using Hall effect and resistivity measurements. It was observed that the resistivity increases and the carrier concentration and the mobility decreases for the doped samples in the whole investigated temperature region. Ionization energies of active centers in the undoped and doped samples were determined using double donor and single donor-single acceptor models, respectively. Scattering mechanisms affecting the carrier mobility at the high and low temperature regions were determined to be homopolar optical scattering and ionized impurity scattering, respectively.
Collections