Alçak frekans kapasite-gerilim (C-V) spekroskopisi

Abstract

ÖZET Yüksek Lisans Tezi ALÇAK FREKANS KAPASİTE-GERİLİM (C-V) SPEKTROSKOPİSİ Serdar KARADENİZ Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Necmi SERİN 1994, Sayfa : 49 Jüri : Prof. Dr. Necmi SERİN : Doç. Dr. Çelik TARIMCI : Yrd. Doç. Dr. Haldun KARABIYIK Eklem kapasitelerinden yola çıkarak durum yoğunluklarını tayin etmek kullanılan bir metoddur. Bu amaçla impedans-metre adı altında alçak frekanslarda numune impedansı ölçebilen bir cihaz geliştirilmiştir. Cihaz, çalışma frekansını ve o frekansta numunenin göstermiş olduğu impedansı aynı anda ölçüp vere bilmektedir. Ölçülen bu impedanstan hareketle numunenin o andaki mevcut kapasitesini hesap etmek mümkün olmuştur. Ölçümler, r.f. magnetik püskürtme tekniği ile amorf silisyumdan yapılmış olan Pt/a-Si:H/a-Si:H(n-tipi)/Cr ve Cu/a- Si:H/a-Si:H(n-tipi)/Cr numuneleri üzerinde alınmıştır. Yapıların kapasite-gerilim ölçümleri oda sıcaklığında, 0 Volt-0,5 Volt aralığında, 10Hz-850Hz frekans aralığında, ters beslemde alınmıştır. Sonuçta çizilmiş Kapasite-Gerilim eğrilerinden hareketle numunelerin sahip olduğu enerji aralıklarındaki durum yoğunlukları tayin edilmiştir. ANAHTAR KELİMELER : Alternatif akım, analogtan sayısala, Doğru akım, Frekanstan gerilime, Işık yayıcı diyod, İşlemsel-yükselteç, Gerilim kontrollü osilatör, İkili kodlanmış ondalık sayı

ABSTRACT Master's Thesis THE LOW FREQUENCY CAPACITANCE- VOLTAGE (C-V) SPECTROSCOPY Serdar KARADENİZ Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor : Prof. Dr. Necmi SERIN 1994, Page : 49 Jury : Prof. Dr. Necmi SERİN : Assoc. Prof. Dr. Çelik TARIMCI : Asist. Prof. Dr. Haldun KARABriTK The junction capacitance is a common tool used in the determination of density of states. In this study a device, so-called impedance meter, was deve loped. The device displays both signal frequency and impedance at the same time. The capacitance of the device can be determined by means of the impedance. The capacitance- voltage characteristics of Pt/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr and Cu/a- Si:H/a-Si:H(n-type)/Cr structures were also carried out at room temperature and 0-0,5 Volt reverse bias voltage range and at frequency range of 10-850 Hz. In order to determine density of states it was utilized from the Capacitance- Voltage characteristics. KEY WORDS : Alternating current, Analog to digital, Direct current Frequency to voltage, Light emitting diode, Operatio nal-Amplifier, Voltage controlled osilator, Binary co ded decimal