Si(001)yüzeyinin atomik ve elektronik yapısı
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu tez çalısmasında, Si (001) yüzeyinin atomik ve elektronik özellikleri ab ? initioyogunluk fonksiyoneli hesapları ile incelenmistir. lk olarak temiz silisyum yüzeyine aitsonuçları verdik. Daha sonra Si (001) yüzeyine 0.5 ML, 1 ML ve 2 ML olacak sekildeadsorplanmıs S atomu ile 0.5 ML ve 1 ML olacak sekilde adsorplanmıs Ge atomuçalısılmıstır. Son olarak, Ge kaplamalardan kararlı bulunan yapılara H atomueklendiginde olusan yeni durumlar incelenmistir. Bu islemin, yüzeylerin özelliklerini neyönde etkiledigi tartısılmıstır.Anahtar Kelimeler: Atomik yapı, elektronik bant yapısı, yüzey yeniden yapılanması,ab ? initio hesaplamaları, teorik modelleme In this thesis, the atomic and electronic properties of Si (001) surface have beeninvestigated by ab ? initio density functional calculations. We have first given theresults for a clean silicon surface. Then, an adsorbed S atom on Si (001) surface for 0.5monolayer (ML), 1 ML and 2 ML were studied, while an adsorbed Ge atom has beenstudied for 0.5 ML and 1 ML. Finally, the new composed cases have been studied whenH atom has been added to the surfaces of Ge coverages which were found as stable. Ithas then been discussed how this processing has affected the properties of surfaces.Key Words: Atomic structure, electronic band structure, surface reconstruction, ab ?initio calculations, theoretical modelling
Collections