III-V yarı iletkenlerinden oluşan heteroyapıların elektronik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada (001) yönünde tek, ikişer ve üçer katmanlı olarak modellenmiş AlAs/GaAs bulk hetero yapıların, taban durumundaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama etkin potansiyeli, yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmiştir. Sistem z ekseni boyunca optimize edilerek bu bulk yapının en kararlı durumu elde edilmiştir. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonksiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı kullanılarak yapılmıştır. Ayrıca AlAs/GaAs hetero bulk yapısındaki arayüzeyde etkin potansiyel farkı olduğu gözlenmiştir. Bundan dolayı bu sistemler elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemlidir.

In this study, ground state of lattice constant, total energy and average effective potential of AlAs/GaAs bulk heterostructures which are modeled as monolayer, bilayer and triple-layered in the direction of (001) have been investigated by using Density Functional Theory. Equilibrium state of this bulk structure has been obtained by optimizing the system along z axis. The calculations have been done by using Plane Wave Self Consistent Field Program which is based on Density Functional Theory. It has been observed that there is an effective potential difference at the interface which is in AlAs/GaAs bulk heterostructure. Therefore, it has an important role in invent of electronic and opto-electronic devices.