p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı

Abstract

Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan p-InSe:Mn yarıiletkeninin Schottky kontak davranışı incelenmiştir. Bu çalışma için öncelikle yarıiletkenin mat tarafına In buharlaştırılarak omik kontak yapılmış, sonra ise gerekli temizleme işlemlerinden geçirilmiş 12 farklı kontak materyali (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) yarıiletkenin parlak yüzeyine buharlaştırılarak 1 mm çapında Schottky kontaklar elde edilmiştir. Elde edilen bu diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri alınmış ve bu karakteristikler kullanılarak idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği değerleri hesaplanmıştır. Ayrıca seri direnç etkisi göz önünde bulundurularak Cheung fonksiyonları yardımı ile seri direnç değerleri hesaplanmıştır.

In this study, the Schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor which has been grown by Bridgman-Stockbarger Method has been investigated. For this study first the ohmic contacts with In have been made to the matte faces of semiconductors; later Schottky contacts about 1 mm diameters have been made by using 12 different contact materials (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) to the brilliant faces after passing through the necessary cleaning procedures. At the room temperature current-voltage (I-V) characteristics of this diodes have been taken and ideality factor (n) and Schottky barrier height parameters have been calculated using this characteristics. Moreover thought of the effect of series resistance Rs values have been calculated by the help of Cheung Functions.