ZnO ve CdO ikili yarıiletken bileşiklerin sılar ve sol- jel teknikleriyle büyütülmesi ve yapısal analizleri

Abstract

Geçirgen iletken oksit malzemelerden olan ZnO ve CdO ince filmler, optoelektronik ve fotovoltaik aygıt teknolojisindeki potansiyel uygulamalarından dolayı çok önemli malzemelerdir. ZnO ve CdO ince filmler, Ardışık İyonik Tabakanın yüzeye tutunması ve Reaksiyonu (SILAR) tekniği ve sol-jel tekniği kullanılarak cam taban malzemeler üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Filmlerin yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri farklı analiz teknikleri ile araştırıldı. X-ışını kırınımı ve SEM ölçümleri filmlerin polikristal yapıda olduğunu ve taban malzeme yüzeyine kaplandığını gösterdi. Optik soğurma ölçümleri yardımıyla, filmlerin yasak enerji aralığı değerlerine bakıldı. X-ışını kırınımı ve soğurma sonuçlarına göre, SILAR tekniği ile büyütülen ince filmlerin daha iyi sonuçlar verdiği görüldü. Diğer taraftan SEM ölçümlerine bakıldığında sol-jel tekniği ile büyütülen ince filmlerin daha iyi sonuçlar verdiği görüldü. Sonuç olarak her iki yöntemle de kaliteli filmler büyütülmektedir.

Transparent conducting oxides, such as ZnO and CdO thin films are very important materials because of their potential applications in optoelectronic and photovoltaic device technology. ZnO and CdO thin films were grown on glass substrates using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) and sol-gel technique at room temperature. The structural, surface and optical properties of the films were investgated with different analysis techniques. The X-ray diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM) measurements showed that the films had been covered well on substrates and have polycrystalline structure. Energy band gap of the films were determined through optical absorption measurements. It has been observed that the films grown by SILAR had much better results obtained by XRD and absorption measurements. But, It has been observed that the films grown by sol-gel had much better results obtained SEM measurements. As a result, high quality thin films ere grown by two techniques.