Er/p-Si Schottky yapılarında engel yüksekliği ve Gauss dağılımının sıcaklığa bağlılığı

Abstract

Er/p-Si Schottky yapısı Erbiyumun sputter tabakalı metalizasyonu ile gerçekleştirildi. Erbiyum silisyum ara yüzeyindeki homojensizlik ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak incelenmiş olup engel yükseklindeki dağılımın sıcaklıkla değişimi de ilk kez bu çalışmada rapor edilmiştir. İki boyutta yapılan haritalama ölçümleri ile paralel fabrikasyonu yapılan diyotlarda gözlenen homojensizlik açıkça gösterilmiş olup erbiyumun yüksek kimyasal aktivitesinden dolayı optimum ısıl işlem sıcaklığı 2.5 dk. süre için 300oC olarak bulundu.

Er/p-Si Schottky structure has been made with Erbium using sputter based metallization. The inhomogeneity of Erbium Silicon junction surface has been investigated depending on temperature and the dispersion of barrier height depending on temperature change has also been reported for the first time in this study.The inhomogeneity of parallel processed diodes with the two dimensional mapping performed and the fabrication has been shown obviously and through the high chemical activity of erbium the optimum annealing temperature for 2.5 minutes was determined as 300oC.