Ti/n-GaAs/In metal/yarıiletken/metal kontakların numune sıcaklığına bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Serbest taşıyıcı yoğunluğu 7,3x1015 cm-3 olan n-tipi GaAs yarıiletken kristali Taban malzeme olarak kullanıldı. Ti metali Schottky kontak ve In metali omik kontak olarak kullanılmıştır. Böylece, Ti/n-GaAs/In Schottky diyotları sputter (saçtırma) tekniği ile üretilmiştir. Diyotumuzun akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri 80-320 K sıcaklık aralığında 20 K?lik adımlarla incelenmiştir. Numune sıcaklığına bağlı olarak, karakteristik diyot parametreleri olan Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri doğru beslem akım-gerilim verilerinden hesaplanmış ve grafikleri çizilmiştir. Engel yüksekliğinin azalan numune sıcaklığıyla azaldığı ve idealite faktörünün arttığı gözlenmiştir. Bu ideal olmayan davranışın engelin yüksekliğinin yanal inhomojenliğinden ileri geldiği düşünülmüştür. C-2-V grafiği kullanılarak difüzyon potansiyeli, iyonize olmuş donor konsantrasyonu, Fermi enerji seviyesi, engel yükseklikleri ve engel yüksekliğinin sıcaklık katsayısı (-0.65 meV/K) hesaplanmıştır. Ayrıca, düşük sıcaklıklarda termiyonik alan emisyon akımının az da olsa etkin olduğu gözlenmiştir.Anahtar Kelimeler: GaAs yarıiletkeni, metal-yarıiletken kontaklar, homojen olmayan Schottky engel yüksekliği, sıcaklığa bağımlı diyot parametreleri It has been used GaAs semiconductor substrate whıch has a free carrier concentration of 7,3x1015 cm-3. Ti/n-GaAs Schottky barrier diodes have been fabricated from this semiconductor by magnetron DC sputtering. It has been investigated the I-V and C-V characteristics in the temperature range of 80-320 K. The ideality factor and barrier height (BH) values have been calculated from the forward I-V characteristics. The variation of the diode parameters with the sample temperature has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The temperature dependent C-V-T characteristics have been measured to calculate the carrier concentration, diffusion potential, barrier height, Fermi energy level and BH temperature coefficient (a = -0.65 meVK-1). It has been seen that the thermionic field emission current is dominated at low temperatures. The fact that the BH temperature coefficient changes from metal to metal has been ascribed to the chemical nature of the contact metal or metal electronegativity.Keywords: GaAs semiconductor, metal-semiconductor contact, inhomogeneous Schottky barrier height, the diode parameters dependent on temperature
Collections