Biyomedikal öneme sahip bazı elementlerin bileşiklerinin kütle soğurma katsayılarının ölçülmesi ve katkılı, katkısız yarıiletkenlerde transmisyon faktörlerinin tavlama sıcaklığı ve süresine bağlı değişimi

Abstract

Bu tez çalışması iki kısımdan oluşmaktadır ki birinci kısımda; biyomedikal öneme sahip olan Na, Mg, Al, Ca ve Fe elementlerinin oluşturduğu; NaO2C2H3, Na2CO3, NaF, NaNO3, Na2SO3, Na2SO4, NaCl, Mg(NO3)2, MgO, Al(NO3)3, AlCl3, CaSO4, CaF2, CaHPO4, CaO6C6H10, FeCl2, FeCl3 ve Fe2(SO4)3 bileşiklerinin kütle soğurma katsayıları ölçülerek elektronik, atomik ve moleküler tesir kesitleri, etkin atom numaraları ve elektron yoğunlukları hesaplanmıştır. Elde edilen deneysel sonuçlar WinXCom ve FFAST teorik sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Çalışmamızın ikinci kısmında ise lam (cam) üzerine buharlaştırılmadan hazırlanmış InSe, InSe:Sn yarıiletken kristalleri ve lam üzerine buharlaştırılarak hazırlanmış InSe, InSe:Mn, InSe:Fe, InSe:Ag, InSe:Cd, InSe:Sn ve InSe:Gd yarıiletken kristallerinin γ-ışını transmisyon faktörlerinin tavlama sıcaklığı ve süresine göre değişimleri incelenmiştir. Transmisyon faktörlerinin ölçülmesinde kullanılan dar-şua geometrisinin daha hassas sonuçlar verdiği görülmüştür. Yaptığımız literatür taramasına göre, daha önce bu konularda yapılmış bir çalışmaya rastlanmamıştır. Bu yüzden yaptığımız tez çalışması ilk deneysel sonuçları oluşturmaktadır.

This thesis study consists of two parts: firstly, the mass attenuation coefficients of NaO2C2H3, Na2CO3, NaF, NaNO3, Na2SO3, Na2SO4, NaCl, Mg(NO3)2, MgO, Al(NO3)3, AlCl3, CaSO4, CaF2, CaHPO4, CaO6C6H10, FeCl2, FeCl3 and Fe2(SO4)3 compounds of biomedically important Na, Mg, Al, Ca and Fe elements have been measured and electronic, atomic and molecular cross sections, effective atomic numbers and densities of electron have been calculated. The experimental results are compared with theoretical results of WinXCom and FFAST. Secondly, the change according to the annealing temperature and time of γ-ray transmission factors of InSe, InSe:Sn semiconductor crystals that prepared by not evaporated onto stage (glass) and InSe, InSe:Mn, InSe:Fe, InSe:Ag, InSe:Cd, InSe:Sn ve InSe:Gd semiconductor crystals that prepared by evaporated onto stage have been examined. Narrow-beam geometry has given very sensitive results in measuring of transmission factors. To the best of our knowledge there are no experimental data reported in the literature. The present results constituting the first experimental results.