Al/p-GaSe Schottky diyodunun sıcaklığa bağlı akım-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi

Abstract

Bu tezde, Brigdman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş p tipi GaSe yarıiletkeni kullanılarak Al/p-GaSe Schottky diyotları üretilmiştir. Al/p-GaSe diyodunun akım-gerilim (I-V) karakteristikleri +2 V- (-2) V gerilim aralığında ve 100-400 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Bu diyota ait karakteristik parametreler termoiyonik emisyon teorisine göre sıcaklığa bağlı olarak hesaplanmıştır. Sıcaklığın azalması ile idealite faktöründe artma, engel yüksekliğinde ise azalma gözlemlenmiştir. Engel yüksekliği 400 K'de 0,965 eV, 100 K'de 0,450 eV olarak ve idealite faktörü ise 400 K'de 1,007, 100 K'de 2,175 olarak hesaplanmıştır. Diyoda ait seri direnç (Rs) değerleri numune sıcaklığına bağlı olarak Norde fonksiyonlarından hesaplanmıştır. Aydınlıkta ters beslem akım değerleri, karanlıktaki akım değerlerine göre daha yüksek çıktığından Al/p-GaSe diyodunun ışığa karşı duyarlı olduğu görülmüştür.

In this thesis, Al/p-GaSe Schottky diodes have been fabricated by using p type GaSe grown from Bridgman-Stockbarger method. The current-voltage (I-V) characteristics of Al/p-GaSe diode have been measured in the voltage range of +2 V- (-2 V) and in the temperature range of 100-400 K in steps of 20 K. The characteristic parameters of the diode have been calculated depending on the temperature from thermionic emission theory. It has been observed that there is a decrease in the Φb and an increase in the n with a decrease at temperature. The values of Φb and n have been calculated as 0.965 eV, 1.007 at 400 K and 0.450 eV, 2.175 at 100 K, respectively. The value of the series resistance (Rs) of diode depending on the temperature of the sample has been calculated from Norde's functions, Since the reverse current value in the light is higher than the current value in the dark, it has been observed that the Al/p-GaSe diode is sensitive to light.