Kuantum elektron devreleri üzerine bir çalışma

Abstract

ÖZET Doktora Tezi KUANTUM ELEKTRON DEVRELERİ ÜZERİNE BİR ÇALIŞMA Ahmet SARIKOÇ Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Mustafa MERDAN 1995, Sayfa: 109 Jüri: Prof. Dr. Mustafa MERDAN Doç. Dr. İrfan AKGÜN Yrd. Doç.Dr. Haldun KARABIYIK Bu çalışmanın giriş bölümünde; kuantum elektron devre elemanlarının bir tarihsel gelişimi incelenmiş ve literatür özeti verilmiştir. Kuantum elektron devre elemanları, yarıiletkenlere ve P-N eklemlerine dayanmaktadır. Bu sebeple II. bölümde yarıiletkenler hakkında genel ve önemli bilgiler verilerek P-N ekleminin oluşumu anlatılmıştır. Kuantum yarıiletken aygıtlarda akımın geçmesi; tünelleme olayı ile gerçekleşmektedir. Bu sebeple III. bölümde tünelleme olayına yer verildi.Tek ve çift bariyer durumu incelenerek rezonans tünel diyot üzerinde duruldu. Süreklilik denWeminin çıkartılması ve P-N eklemine uygulanması özellikle incelendi. İnceleme neticesinde süreklilik denMeminin P-N eklemine uygulanmasıyla bulunan akım yoğunluğu denklemi ile, ideal diyod 'un akım yoğunluğu denMerninin aynı oduğu görüldü. Anahtar Kelimeler: Kuantum, Elektron devre, Rezonans, Tünel, Süreklilik denklemi.

ABSTRACT Doctorate Thesis A Study On Quantum Electron Devices Ahmet SARIKOÇ Selçuk University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Mustafa MERDAN 1995, Page: 109 Jury: Prof. Dr. Mustafa MERDAN Assoc. Prof. Dr. İrfan AKGÜN Assoc. Prof. Dr. Haldun KARABIYIK In the introduction of this study the historical development of quantum electron devices has been studied and a summary of literature has been given. Quantum electron devices depend on semiconductors and P-N junctions. For this reason, in the second part the constitution of the P-N junction has been explained by giving some general and important knowledge about semiconductors. The current flow in quantum semiconductor devices comes true by tunnelling. Because of this, in the third part, tunnelling has been studied and by examining the situation of single and double barrier we have studied resonance tomelling diode. The continuity equation has been derived and applied to the P-N junction. The equation of current density has been obtained in agreement with the equation of the current density of an ideal diode. Key Words: Quantum, Electron, Circuit, Resonance, Tunnelling, the continuity equation. n