İnce film CuInSe2 bileşik yarıiletkenlerin fiziksel özellikleri

Abstract

ÖZET Doktora Tezi İNCE FİLM CuInSe2 BİLEŞİK YARIİLETKENLERİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ Ömer Faruk YÜKSEL Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Yrd.Doç.Dr. Haldun KARAB1Y1K 1997, 73 Sayfa Jüri: Yrd.Doç.Dr. Haldun KARABI YIK Prof.Dr. Hüseyin YÜKSEL Yrd.Doç.Dr. Bilal GÜNEŞ Bu çalışmada özel bir buharlaştırma tekniği olan iki aşamalı süreçle hazırlanmış ince film CuInSe2 bileşik yarıiletkenlerin bazı temel fiziksel özellikleri incelenmiş ve bu özelliklerin numunelerdeki Cu/In oranına bağlı olarak nasıl değiştiği araştırılmıştır. Bu amaçla, değişik Cu/In oranları içeren numunelerin bileşimleri Enerji Dağılım Analizi (EDA) yöntemi ile belirlenmiş ve X-Işını Kırınım (XRD) desenlerinden olası kristal yapısı ve örgü parametreleri saptanmıştır. Ayrıca iletkenlik tipleri ve özdirençleri ölçülmüştür. 200-2500 nm dalgaboyu aralığında gerçekleştirilen soğurma ölçümlerinden, numunelerin soğurma katsayısının ve sönüm katsayısının değişimleri ile yasak band aralığı belirlenmiştir. 220-2200 nm aralığında alman yansıma spektrumlarından ise bu numunelerin kırılma indisleri hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlar, diğer yöntemlerle hazırlanan CumSe2 filmlerin incelenmesinden bulunan sonuçlarla karşılaştırılmış ve genellikle benzer değerler bulunmuştur. Anahtar Kelimeler : CuInSe2, ince film, I-HI-VI2 bileşik yarıiletkenleri.

III ABSTRACT PhD Thesis PHYSICAL PROPERTIES OF CuLiSe2 COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FTLMS Ömer Faruk YÜKSEL Selçuk University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Ass. Prof. Dr. Haldun KARABIYIK 1997, 73 Pages Jury: Ass.Prof.Dr. Haldun KARABIYIK Prof.Dr. Hüseyin YÜKSEL Ass.Prof.Dr. Bilal GÜNEŞ In this study, some physical basic properties of thin fihn CuInSe2 compound semiconductors prepared by two-stage process, being a special evaporation technique, and the changes of these properties with Cu/In ratios of samples were investigated. For this purpose, the compositions of samples having different Cu/In ratios were determined by Energy Distribution Analysis (EDA), and from X-Ray Diffraction (XRD) patterns, crystal structures and lattice parameters were calculated. Furthermore, conductivity types and resistivities of samples were measured. By absorption measurement performed at 200-2500 nm wavelength range, absorption constant, extinction coefficient and forbidden gap values were determined. Also, by the reflectance measurement performed at 220-2200 nm range, the refractive indices of samples were calculated. The results finally were compared with the results which were obtained with differently prepared CuJnSe2 films and found similiar values in general Key Words : CulnSe2, thin film, I-III-VI2 compound semiconductors.