Kaynak geometrisinin transistor performansı üzerindeki etkisi

Abstract

Bu yüksek lisans tezinde, organik alan etkili transistör performansa etkisinin araştırılması amacıyla, fotolitografi yöntemi aracılığıyla farklı geometrilere sahip organik alan etkili transistörler üretilmiştir. Silikon altlık üzerine fiziksel buhar biriktirme yöntemi ile kaplanan altın, maskesiz fotolitografi yöntemi kullanılarak desenlenmiştir. Organik alan etkili transistörler için düzlemsel ve iç içe geçmiş kaynak-akaç elektrotları desenlenmiş daha sonra 2,7-Dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) yarı iletken malzeme kaplanarak organik alan etkili transistör üretimi tamamlanmıştır. Elektriksel karakterizasyonları yapılan organik alan etkili transistörlerin performansları birbirleri ile karşılaştırılmıştır.Aynı zamanda temel geometrileri aynı fakat kanal uzunluk ve genişlikleri farklı organik alan etkili transistörler de üretilerek elektriksel karakterizasyonları yapıldıktan sonra, kanal geometrisindeki değişimin transistör performansını nasıl etkilediği araştırılmıştır. İç içe geçmiş geometriye sahip OFET'lerin genel olarak düzlemsel geometriye sahip OFET'lere göre daha performanslı çalıştığı gözlemlenmiştir.

In this master thesis work, organic field effect transistors with different geometries were fabricated by using maskless photolithography method, in order to investigate effect of transistor geometry on transistor performance. Thermally evaporated gold on silicon wafers was patterned by using maskless photolithography method. Two different geometries were patterned for organic field effect transistors which are linear and interdigitated and finally 2,7-Dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) semiconductor was spin coated. Electrical characterizations of organic thin film transistors were carried out and their performances were compered to each other.At the same time, organic field effect transistors with same general geometry but different channel length and width were fabricated and effect of different channel dimentions on transistor performance was investigated. It was observed that OFETs with interdigitated geometry work better than OFETs with linear geometry.