A Theoretical study of the III-N-V quantum well lasers

Abstract

oz in-N-V KUANTUM KUYU LAZERLERİ ÜZERİNE TEORİK BİR ÇALIŞMA YAĞDIRAN Bilal Yüksek Lisans Tezi Fizik Mühendisliği Tez Yöneticisi: Doç. Dr.Beşire GÖNÜL Ocak 2003, 61 sayfa Bu çalışmada III-N-V kuantum kuyu lazerlerinin sıradışı nitelik ve performansları teorik olarak incelenmektedir. 1.3 um dalgaboyunda ışıma yapan III-N-V kuantum kuyu lazerlerine iyon yüklemesinin geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu ve üst kazanç üzerindeki etkilerinin detaylı olarak incelenmesi açıkça şunu göstermiştir ki; yükleme sayesinde geçirgenlik taşıyıcı yoğunluğu önemli ölçüde düşmüş ve kazanç artmıştır. 1.3 um dalga boyunda ışıma yapan InGaNAs/GaAs ve InNAsP/InP kuantum kuyu sistemlerinin karşılaştırması ikinci sistemin materyal kalitesinin birinci sisteme nazaran daha iyi olduğunu açığa çıkarmıştır. Anahtar kelimeler: Nitridler, band anticrossing modeli, geçirgenlik ve eşik özellikleri iv

ABSTRACT A THEORETICAL STUDY OF THE HI-N-V QUANTUM WELL LASERS YA?DIRAN, Bilal M.Sc. in Engineering Physics Supervisor: Assoc.Prof. Dr. Beşire GÖNÜL January 2003, 61 pages This thesis investigates the unusual properties and performance of HI-N-V QW lasers theoretically. A detailed investigation of the effect of doping on the parameters of transparency carrier density and peak gain of IQ-N-V QW lasers emitting at 1.3 um reveals the fact that a significant reduction in transparency carrier density and an increase in gain can be obtained by modulation doping. The comparison of the band structure parameters of InGaNAs/GaAs and InNAsP/InP systems emitting at 1.3 um shows that the material quality seems better in the latter compared to the first one. Key words: Nitrides, band anticrossing model, transparency and threshold characteristics 11 agT»»**-