ZnO filmlerin hazırlanması ve alüminyum katkılı ZnO filmlerin eletriksel özellikleri

Abstract

ZnO FİLMLERİN HAZIRLANMASI VE ALÜMİNYUM KATKILI ZnO FİLMLERİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ Tülin EROĞLU Anahtar Kelimeler: ZnO:Al ince film, püskürtme, termal buharlaştırma, sol-jel, özdirenç, film kaplama parametreleri, iletken ince filmler Özet: Bugüne kadar yapılan çalışmalarda alüminyum katkılı çinko oksit filmlerin (ZnO:Al) cam yüzey üzerinde püskürtme, termal buharlaştırma ve sol-gel dip- coating yöntemleri ile elde edildiği görüldü. ZnO: Al ince filmlerin elektriksel özelliklerinin sıcaklık, katkı konsantrasyonu, gaz basıncı, O2 kısmi basıncı, kaplama sayısı, sol konsantrasyonu ve RF gücü vb. Kaplama parametreleriyle doğrudan ilişkili olduğu gözlendi. Aynı zamanda bu parametrelerin kontrolü ile istenen özdirenç değerleri elde edilmektedir. Elektriksel özellikler ile yapısal özellikler arasında bir bağlantı oluşturulur. Al katkılanmasının ZnO'in kristal yapısını etkilediği ve iletkenliği arttırdığı görüldü. Literatürde püskürtme, termal buharlaştırma ve sol-gel dip-coating gibi değişik yöntemlerle elde edilen ZnO: Al filmlerinin elektriksel özelliklerinin hemen hemen aynı olduğu görülmektedir. Bu çalışmada çinko oksit filmler termal buharlaştırma yöntemi (UNTVEX 300) ile elde edildi. Filmlerin yapısal özellikleri incelendi. ZnO filmlerinin X-ışmı analizi yapıldı ve ZnO ile Al' a ait pikler gözlemlendi. -11-

PREPERATION OF ZnO FILMS AND ELECTRICAL PROPERTIES OF ALUMINIUM DOPED ZINC OXTDE FILMS Tülin ERO?LU Keywords: ZnO:Al thin films, sputtering, thermal evaporation, sol-gel, resistivity, coating parameters, conductive thin films. Abstract: Until today the researches done show that the conducting aluminium doped zinc oxide films (ZnO:Al) have been examined on glass substrates by sputtering, thermal evaporation and sol-gel dip-coating methods. It is observed that the electrical propeties of ZnO.Al thin films are directly related to the coating parameters such as temperature, dopant concentration, gas pressure, O2 the partial pressure, the number of coating, sol concentration and RF power etc. Also through controlling these parameters, the desired resistivity values are obtained. A connection is formed between the electrical properties and the morphological properties. It is observed that doping the aluminium affects the crystal structure of ZnO, and increases its conductivity. The electrical properties of ZnO:Al films obtained through the different methods such as sputtering, thermal evaporation, and sol-gel dip-coating are nearly same. In this study, the zinc oxide films are prepared by the thermal evaporation (UNTVEX 300) method. The structural properties of the films are studied. The X-Ray analysis of ZnO films is done and the ZnO and Al peaks is observed. Ill