Show simple item record

dc.contributor.authorObdan, A.Hülya
dc.date.accessioned2020-12-29T10:44:22Z
dc.date.available2020-12-29T10:44:22Z
dc.date.submitted1993
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/394222
dc.description.abstractÖZET MCT (MOS-Kontrollü Tristör), yalıtılmış MOS kapısından pozitif ve negatif gerilim sinyali ile kontrol edilmek üzere dizayn edi İmiş,trist örün mükemmel özelliklerine sahip yepyeni bir elemandır. Tristör gibi anodu ile katodu arasında p-n-p-n tabakaları ve üç jonksiyondan oluşmuştur. Yapısında,biri n- kanallı, diğeri p-kanallı olmak üzere iki PET ve biri npn, di ğeri pnp olan iki transistor bulunmaktadır. MCT anoda negatif gerilim sinyali verilmek suretiyle iletime geçirilir. Pozitif gerilim sinyali ile söndürülür. MCT'nin iletimdeki gerilim düşümü çok azdır ve geniş bir SOA(Emniyetli Çalışma Alanı) özelliğine sahiptir. Yüksek di/dt ve dv/dt özelliği, sıcaklık yeteneği, tristöre ilaveten hızlı anahtarl ama imkanı sağlanmış olması ile MCT çok parlak bir gelecek vaad etmektedir. MCT, yeni bir güç yarı iletkeni olmasına rağmen, DC ve AC Motor Kontrolü,ÜPS Sistem leri, Endüksiyonla Isıtma,DC-DC Dö nüştürücüler, Aktif Güç Hatları ve bunun gibi geniş uygulama alanları için olanaklar sağlar. MOS kontrollü bir tristör olan MCT, üstün özelliklerinden dolayı, çok yakın bir gelecekte günümüzün elemanlarına tercih edilecektir.
dc.description.abstractSUMMARY MCT,designed to be controlled through its isolated MOS gate with positive and negative voltage signals, is the newest device, which has also perfect specifications of thyristors. It is consisted of pnpn layers between its anode and cathode and three junctions, such as thyristors.lt has two FET's ;one of them is p-channel and two transistors as npn and pnp. MCT is turned on by a negative voltage pulse at the gate and off by a positive voltage pulse. This device has a low conduction drop and a large SOA capability with high di/dt and high dv/dt, temperature capability.lt is faster switching possibility than thyristors. Although MCT is a new power semi-conductor, It shows tremendous possibility for wide spread applications, as dc and ac motor drives, DPS systems, induction heating, dc-dc converters, active power line conditioners etc. MCT will be the major device in future as comparison to previous and present devices, because of its superior characteristics.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.titleMOS kontrollu tristör ( MCT ) ve sürme devrelerinin incelenmesi
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.subject.ytmThyristor
dc.identifier.yokid29169
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityYILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid29169
dc.description.pages86
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess