Fabrication and characterization of bismuth hall sensors at room temperature
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET BISMUTH HALL ALGILAYICILARININ YAPIMI VE ODA SICAKLIĞINDA KARAKTERİZASYONU Gözde Bayer Fizik, Yüksek Lisans Tez Danışmanı: Doç. Dr. Ahmet Oral Eylül, 2003 Küçük ölçekli Hail etkisi sensörleri son yıllarda yaygın olarak araştırmaların konusu olmaya başlamıştır. Kristal bizmut kümesi büyük bir manyetik-direnç etkisi göstermektedir ve bu özelliğinden dolayı Bizmutun ince filmler halinde yapılması üzerine çalışılmaya başlanmıştır. Bu tür yapılar manyetik algılama uygulamalarında fayda sağlamaktadır. Bu çalışmada fotolithografi tekniği kullanılarak Bizmut kalınlığı 30 ve 50 nm olan Hail etkisi aygıtları yapılmıştır. Bizmut GaAs yarıiletkeni üzerine buharlaştırma ile eklenmiştir. Daha sonra bu Hail aygıtlarının özellikleri incelenmeye başlanmıştır : dirençlilik ve Hail katsayısı farklı kalınlık için oda sıcaklığında ölçülmüştür, Hail etkisi manyetik alan etkisi altında incelenmiş, sonuçlar daha önce literatürde bulunanlarla karşılaştırılmıştır. Bu çalışmada, Odaklanmış Ion Demeti (OID) yöntemi ile yapılan 0.25 (am x 0.25 um boyutlarındaki Bizmut mikro-Hall sensörleri ve bunlar için hesaplanan Hail katsayısı da verilmektedir. Anahtar Kelimeler : Bizmut Hail sensörleri, elektriksel dirençlilik, Hail etkisi, Hail katsayısı iv ABSTRACT FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF BISMUTH HALL SENSORS AT ROOM TEMPERATURE Gözde Bayer M. Sc. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ahmet Oral September, 2003 Small-scale Hall effect devices have attracted a great deal of research interest in recent years. It is well known that bulk single crystal of bismuth exhibit a large magnetoresistance effect and the recognition of this fact has stimulated a number of recent efforts to grow thin films of bismuth. Such films are useful in magnetic sensing applications. We fabricated Hall sensors having thickness of 30 nm and 50 nm of Bismuth using photolithography. Bismuth was deposited on to the surface of GaAs by evaporation technique. The properties of these sensors were then studied: dependences of the resistivity, and Hall coefficient on layer thickness were investigated at room temperature, Hall coefficients were calculated under the effect of a magnetic field. Results were then compared with the previously obtained values. Bismuth micro-Hall probes with dimensions as small as «0.25 (4,m x 0.25 um produced by Focused Ion Beam (FIB) milling were also presented in this study. Hall coefficient was then calculated. Keywords: Bismuth Hall Sensors, electrical resistivity, Hall effect, Hall coefficient m
Collections