Scanning probe microscopy for optoelectronic characterization at the nanoscale
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
Bu çalışmada, nano yapıda olan yüzeylerin tarama sonda mikroskobukullanılarak, elektrostatik kuvvet ve tünelleme akımı ölçümleri yoluylakarakterizasyonu için yöntemler öneriyoruz. Bunun için, elektrostatik kuvvetmikroskobunda (EKM) 10 nm'den daha küçük düzeyde çözünürlük elde edildive bu neticenin elde edilebilmesinin sebepleri uç-nümune kapasitansı ve ucuntasarımından kaynaklanan mekanik titreşimler cinsinden izah edildi. EKM'deuç-nümune etkileşimleri basit bir uç-nümune kapasitansı modelinden dahagenişletilmiş bir devre ile modellenerek incelendi. Yüzey fotovoltajı ölçümleriyapıldı ve bu ölçümün EKM'de doğrulanması frekans tepkisi de ölçülereksağlandı. Ayrıca, EKM ölçümlerini, tünelleme akımı ölçümleriyle birleştirerek,grafen/grafen oksit nümunelerinin optoelektronik özellikleri karakterize edildi. In this work, we propose methods for electrical characterization of nanostructuredsurfaces using electrostatic force and tunneling current measurements inscanning probe microscopy. Resolution smaller than 10 nm in electrostatic forcemicroscopy (EFM) is attained and reasons for this attainment is explained interms of the tip-sample capacitance and mechanical vibrations of tip design. Dynamicmeasurements are done in EFM using a lumped model for tip-sampleelectrostatic interaction instead of a simple tip-sample capacitance model. Surfacephotovoltage measurements are done and assured in EFM using frequencyresponse techniques. Also, combining tunneling current measurements by EFMmeasurements, optoelectonic properties of graphene/graphene oxide samples arecharacterized.
Collections