Farklı alttabanlar üzerine CdSe yarı iletken ince filmlerin elde edilmesi

Abstract

Kadmiyum Selenür (CdSe) nanotel ince filmleri 70 °C'de Kimyasal Depolama Yöntemikullanılarak cam ve FTO alttabanlar üzerine depolanmıştır. CdSe/Cam ve CdSe/FTO nanotelfilmleri hava atmosferinde 100 °C, 200 °C, 300 °C, 400 °C ve 500 °C'de 1 saat tavlandılar. Farklısıcaklıklarda hava atmosferinde tavlanan ve tavlanmayan CdSe nanotel filmlerin optiksel, yapısalve elektriksel özellikleri sırasıyla X‐ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), Xışınıenerji dağınımı (EDX), 4'lü prop ve Hall ölçüm metodu kullanılarak incelendiler. Optikselyöntem filmlerin enerji aralığını (Eg) tanımlamada kullanıldı. Tavlama sıcaklığının artması ilefilmlerin band aralığının azaldığı bulundu. Farklı alttabanlarda üretilen CdSe ince film nanotellertavlama sıcaklığının artmasıyla mısır‐benzeri nanotellere dönüştüler. Farklı alttabanlardabüyütülen CdSe nanotel ince filmlerinin morfolojik özellikleri karşılaştırmalı olarak verilmiştir.

Cadmium selenide nanowires thin films were deposited on the glass and FTO substratesby using Chemical Bath Deposition Method at 70 °C. The CdSe/glass and CdSe/FTO nanowirefilms were annealed at 100 °C, 200 °C, 300 °C, 400 °C and 500 °C for 1 hour in an air atmosphere.The optical, structural and electrical properties of the CdSe nanowire films as‐deposited andannealed at different temperature in air atmosphere were investigated using Scanning electronmicroscope (SEM), X‐ray diffraction (XRD), Hall effect, Four probe and UV‐vis spectrophotometer,respectively. Optical method was used to determine the optical band gap Eg of the films. It wasfound that the band gap of the films decreased with the increase of the annealing temperature.CdSe nanowire thin films produced in different substrates are converted to corn‐like nanowiresby increasing the annealing temperature. The morphological properties of CdSe nanowire thinfilms grown in different substrates are given comparatively.