Güneş pilleri

Abstract

ÖZET ZELİHA TAŞAR Yüksek Lisans Tezi Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü ANKAR ŞUBAT - 19 87 Bu çalışmada, yarıiletken teknolojisine dayalı, p-n junc tion (ikili) ve karmaşık yapılı (MİS türü güneş pilleri) üze rinde yapılan son çalışmalar derlendi. Genel olarak, bir güneş pilinin çalışma prensibi, fötovol- taik olay, ışık enerjisinin elektrik eneri j isine çevrilmesi anlatıldı. Bir güneş pilinin temel büyüklükleri; açık devre voltajı, kısa devre akımı, eğri etkeni (fiil faktörü) ve ve rimi incelendi. Bu özellikleri anlamak için, güneş pillerinin aydınlık ve karanlıkta, akım-voltaj karekteristigi incelendi. MÎS türü güneş pillerinin, karanlık ve ışıkta akım mekanizması, pil parametreleri metal-yarıiletken engel yük sekliği, kalite faktörü, yalıtkan tabaka kalınlığı, geçir genlik özelliği, dalga boyuna bağlılık, yarı iletkenin kalın lığı, yarıiletkenin rezistivitesi ve seri direnç gibi pil parametreleri tartışıldı. Ji

SOLAR CELLS ABSTRACT ZELİHA TAŞAR M. S Thesis Ga.zi University Institute of Science and Technoloqy ANKARA, FEBRUARY - 1987 In this study, the p-n junction and complex structures (Mis type solar cells) based on semiconductor technology were reviewed. The working principle of solar cell, photovoltaik phenomenon and the conversion of solar energy into electri cal energy, were generaly reviewed. The basic parameters of a solar cell in p-n junction structures, open circuit voltage, short circuit current, fill factor and efficiency were explaned. These parameters, the current voltage characteristics of a p-n structure were reviewed for dark and sunlight in order to understand their properties. In this work, the current mechanism, the cell parameters metal-semiconductor barrier height., guality factor, insulator thickness, permeability property, dependence on wavelength, semiconductor thickness, semiconductor resistivity and series resistance of the MIS type solar cell were discussed. Ill