Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, GaAs yarıiletken fotodedektörlü iyonizasyon tipli bir kızüotesi(KÖ) görüntü çeviricinin özellikleri incelendi. Sistemin uzaysal çözünürlüğü 10 piksel/mm'dir. KÖ radyasyon sistemin ışığa duyarlı dedektörünü uyarır böylece gaz boşalma aralığından yayınlanan görünür ışık emisyonu akım yoğunluğunu kontrol eder. GaAs katot kullanan bir iyonizasyon hücresinde ışık emisyonu meydana gelir ve bu ışık emisyonu besleme voltajı, aydınlatma şiddeti, gaz basıncı ve elektrotların yüzey durumuna bağlı olan akım dağılımlarının uzaysal yapılarını gösterir. Bir KÖ görüntü çevirici hücrenin özelliklerinin incelenmesi bir boşalma aralıklı yapıda gözlenen uzaysal olarak homojen akım dağılımının kararlılığı, yarıiletken fotodedektörün özdirencine bağlıdır. Boşalma ışık emisyonunun parlaklığı, boşalma akım yoğunluğuna lineer olarak bağlıdır.

This work investigated the properties of an ionization-type infrared image converter with a GaAs photodetector. The spatial resolution of the device is 10 pixel/mm. The infrared radiation excites the photosensitive semiconductor detector of the device, thus controlling the current density and the visible light emission from the gas discharge gap. The light emission occurs in an ionization cell that uses GaAs photodetector shows the spatial structure of the current distributions which are dependent on the feeding voltage, illumination intensity, gas pressure and the surface status of the electrodes. The investigation of the properties of an infrared image converter cell demonstrated that the stability of a spatially homogeneous current distribution observed in a discharge structure, depends on the resistivity of the semiconductor photodetector. The brightness of the discharge light emission is linearly dependent on the discharge current density.