MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, n-Si yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, püskürtme yöntemiyle de metal-yarıiletken arasına yalıtkan SnO2 tabakası oluşturulmuş Au/SnO2/n-Si MOS yapısının temel bazı fiziksel parametrelerinin frekansa ve radyasyona bağlı değişiminin incelenmesi amaçlanmıştır. Au/Sn02/n-Si (MOS) yapının C-V ve G/w-V ölçümleri farklı frekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu Ölçümlerden yapının seri direnç, ilave kapasitans, arayüzey durumları gibi bazı temel karakteristikleri frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co60 radyasyon kaynağından farklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalar tekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapıların hemen hemen tüm temel fiziksel parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, uygulanan de gerilime, frekansa ve radyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiğini göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MOS yapılar, arayüzey durumları, seri direnç, frekans ve radyasyon etkileri

In this study Au/Sn02/n-Si MOS structure was made, by top of n-Si semiconductor with evaporation technique ohmic and rectifier contacts, with spray technique insulator Sn02 layer is formed between metal layer and semiconductor layer. Our aim is to analyse Au/SnOz/n-Si structure some basis physical parameters by the changing frequency and radiation. Au/SnOt/n-Si (MOS) structure C-V and G/w-V measurements for different frequency were made at room temperature. From these measurements we calculate structure serial resistance, excess capacitance and interface state density by frequency. After than with the Co60 radiation source in different doses we made same measurement and calculations. Result shows that in experiments this structure almost all physical parameters change by interface state density, dc voltage, frequency and radiation.Key Words : MOS structure, interface states, serial resistance, effects of frequency and radiation