Show simple item record

dc.contributor.advisorÖzer, Metin
dc.contributor.authorBaş, Yunus
dc.date.accessioned2020-12-10T13:57:44Z
dc.date.available2020-12-10T13:57:44Z
dc.date.submitted2003
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/303705
dc.description.abstractMETAL-YALITKAN-YARIILETKEN (M Y Y) YAPILARDA AKIM İLETİMİ VE SIĞA ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yunus BAŞ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ekim 2003 ÖZET Bu çalışmada n-GaAs yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, oda koşullarında hava ile teması (100 saat) sağlanarak yalıtkan tabakası oluşturulup Au/n-GaAs MİS Schottky diyodu elde edildi. Çalışmada Au/n-GaAs (MİS) Schottky diyodunun temel bazı fiziksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi amaçlandı. Au/n-GaAs (MİS) yapının I-V ve C-V ölçümleri farklı sıcaklıklar için 1MHz frekansta gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapının idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç, yasak enerji aralığı, gibi bazı temel karakteristikleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : mis yapılar, engel yüksekliği, idealite faktörü, Schottky kontaklar Sayfa Adedi : 75 Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Metin ÖZER
dc.description.abstractCURRENT TRANSPORT AND CAPACITY PROPERTIES IN METAL- INSULATOR-SEMICONDUCTOR (MIS) STRUCTURE (M.Sc. Thesis) Yunus BAŞ GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY October 2003 ABSTRACT In this study; by means of the method of evaparation on the semiconductor n-GaAs; Au/n-GaAs was obtained in the room conditions by providing ohmic and Schottky contacts with the air (100 hours) and forming on insulating layer. The investigation of the changes in some physical parameters of Au/n-GaAs Schottky diode with respect to heat is aimed in the study I-V and C-V measurement of Au/n-GaAs (MIS) were done at the frequency MHz for the different temperature values. Some of the basic characteristics such as ideality factor, barrier height, serial resistant, energy gap of the structure were computed with respect to heat by mean of the compilations done in the experiments. Science Code : 404.05.01 Key Words : mis structure, barrier height, ideality factor, Schottky contacts Page Number : 75 Adviser : Asst. Prof. Dr. Metin ÖZERen_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleMetal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
dc.title.alternativeCurrent transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.subject.ytmBarrier height
dc.subject.ytmCapacity properties
dc.subject.ytmSchottky contacts
dc.subject.ytmIdeality factor
dc.identifier.yokid136706
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityGAZİ ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid133266
dc.description.pages75
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess