Show simple item record

dc.contributor.advisorBülbül, Mehmet Mahir
dc.contributor.authorGüç, Elif
dc.date.accessioned2020-12-10T13:47:20Z
dc.date.available2020-12-10T13:47:20Z
dc.date.submitted2005
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/302653
dc.description.abstractiiiIII-V GRUBU YARIİLETKEN BİLEŞİKLERİN RAMAN ÖZELLİKLERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif GÜÇGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAğustos 2005ÖZETx+y » 47%)'a uygun-örgü In1-x-yGaxAlyAs dörtlüBu çalışmada, InP (ilealaşımlardaki boyuna optiksel fononların Raman saçılması incelendi. Dörtlüalaşım numuneler moleküler demet büyültme (MBE) ile (001) InP alttaşlarüzerine tabakalar halinde büyütüldü. Raman fonon spektrumu, InAs-, GaAs-and AlAs-benzer boyuna optik fonon modlarını sağlayan bir üç-mod davranışıgösterdi. GaAs ve AlAs-benzer modların frekansları, Ga (veya Al) yoğunluklarıile lineer olarak değişirken InAs-benzer fononun konumu neredeyse sabitkalmaktadır. Modların şiddet oranlarının, bileşimlerine karşılık gelen oranlaorantılı olduğu görüldü. Düzensiz-etkiler sebebiyle oluşan LO fonon modlarınınRaman çizgi şekillerin asimetrik genişliği ?konumsal koralasyon? yaklaşımı ileen iyi şekilde açıklanabildi.Bilim Kodu : 4040501Anahtar Kelimeler : Dörtlü bileşikler, fonon modları, Raman spektrumu,RCI modelSayfa Adedi : 51Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
dc.description.abstractivTHE RAMAN PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS(M. Sc. Thesis)Elif GÜÇGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYAugust 2005ABSTRACTIn this work, Raman scattering by longitudinal optical phonons in In1-x-yGaxAlyAs quaternary alloys lattice-matched to InP(with x+y » 47%) wasinvestigated. The quaternary alloy samples were grown as epilayers on (001)InP substrates by molecular beam epitaxy. The Raman phonon spectra show athree-mode behaviour involving the InAs-, GaAs- and AlAs-like longitudinaloptic phonon modes. The frequencies of GaAs and AlAs-like modes varylinearly with the concentration of the Ga (or Al) while the position of the InAs-like phonon remains nearly constant. We show that the ratio of intensities of themodes is proportional to the corresponding ratio of their compositions. Theasymmetric broadening in the Raman line shapes of the LO phonon mode dueto the disorder-activations can adequately be explained by a spatial correlationapproach.Science Code : 4040501Key Words : Quaternary, phonon modes, Raman spectra, RCI modelPage Number : 51Adviser : Asist. Prof. Dr. M. Mahir BÜLBÜLen_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleIII-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
dc.title.alternativeThe raman properties of semiconductor compounds
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentDiğer
dc.identifier.yokid188148
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityGAZİ ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid196560
dc.description.pages51
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess