Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, metal-yalıtkan-yarıiletken Au/PVA/n-Si MIS yapının Schottky diyotu üretildi ve bu diyotun 80-400K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Bu ölçümlerden yararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (FB0) , arayüzey durum yoğunluğu (Nss), arayüzey durum yoğunluğu enerjisi (Ess) ve doyum akımı değerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -5V ile +5V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Cheung fonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azalmaktadır. Engel yüksekliğinin de artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.Anahtar Kelimeler:Schottky diyot, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu, seri direnç

In this study, the Au/ PVA/ n-Si metal-insulator semiconductor MIS Schottky diode was produced and the I-V measurements of this diode were taken at the temperature range of 80-400K for different temperatures. Using these measures, the ideality factor (n), zero-bias barrier height ( ? B0), interface state density (Nss), interface state energy (Ess) and saturation current (I0) of the diode were calculated. The I-V measurement was done with 20 mV steps between -5V and +5V. By the Cheung function, series resistance (Rs) was calculated. It was found that, particularly, the ideality factor (n) and series resistance (Rs) of the diode depend on the temperature, and it decreases with increasing temperature. It was determined that the barrier height increases when the temperature increases.Key Words :Schottky diode, ideality factor, interface state density, series resistance