GaAs/AlGaAs yapıların geniş akım bandındaki elektriksel karakterlerinin incelenmesi

Abstract

GaAs/AlGaAs yapılarının elektriksel karekteristik özellikleri kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kabul ölçüm tekniği kullanılarak 7 kHz-700 kHz frekans aralığında yapılarak incelendi. C ve G / w değerleri, frekansın güçlü bir işlevi bulundu. C-V grafikleri, inversiyon ve birikim bölgelerine karşılık gelen iki pik gösterir. İlk pik , metal / yarı iletken arayüzünde lokalize edilmiş yüzey durumlarının / arayüz durumlarının (Nss) özel yoğunluk dağılımına atfedildi. Anormal pik olarak adlandırılan ikinci tepe noktası ve büyüklüğü artan frekanslarla azalır ve seri direnç (Rs), Nss ve yüzeysel tabaka yerli ya da biriktirilmiş olarak atfedilebilir. Bu nedenle, Nss'in voltaj bağımlı profili düşük-yüksek frekanslı kapasite (CLF-CHF) tekniği kullanılarak elde edildi. Nss-V grafiği, sırasıyla yaklaşık -10 V ve 0 V'de iki ayrı tepe noktası gösterir. Nss değeri ayrıca her frekans için Hill-Coleman tekniği kullanılarak elde edildi ve NSS değeri artan frekansla azaldı. Deney sonuçları, hem Nss hem de Rs değerlerinin, GaAs / AlGaAs yapılarındaki kabul ölçümleri üzerinde önemli ölçüde etkilediğini doğrulamıştır.

GaAs/AlGaAs structures'electrical characteristics have been investigated in the frequency range of 7 kHz-700 kHz by using admittance measurements technique which is including various capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. The C and G/w values are found a strong function of frequency. The C-V plots show two peaks which are corresponding to the inversion and accumulation regions. The first peak was attributed to the particular density distribution of surface states/interface states (Nss) localized at metal/semiconductor interface. Second peak which is called anomalous peak and its magnitude decreases with increasing frequencies and it can be attributed to the series resistance (Rs), Nss, and interfacial layer native or deposited. Therefore, the voltage dependent profile of Nss was obtained using the low-high frequency capacitance (CLF-CHF) technique. Nss-V plot shows two distinctive peaks at about -10 V and 0 V, respectively. The Nss value was also obtained using Hill-Coleman technique for each frequency and the value of Nss decreases with increasing frequency. The experimental results confirmed that both the values of Nss and Rs considerably affect a the admittence considerably effect on the admittance measurements in the GaAs/AlGaAs structures.