RF magnetron sputter sistemi ile pasif devre elemanı rezistör üretimi ve karakterizasyonu

Abstract

Monolitik mikrodalga tümleşik devreler (MMIC), radar ve elektronik harp uygulamalarının temel yapıtaşını oluşturan mikrodalga parçaların hemen hepsinde kullanımı mevcut olan, günümüzün kritik teknolojileri arasında görülmektedir. Teknik açıdan donanımlı bir altyapı desteği ile geliştirilen GaN tabanlı MMIC yongalar, mikrodalga parçaların içerisinde yüksek voltaj ve yüksek sıcaklıkta performans göstermesinden ötürü güç yükselteç ve faz kaydırıcı olarak yüksek sınır frekanslarda çalışabilmesi özelliklerinden dolayı son yıllarda gelişen teknoloji ile farklı çalışma konuları için tercih edilir bir hale gelmiştir. MMIC teknolojisi, tek kristal alttaş üzerine aktif ve pasif devrelerin özel olarak tasarlanmış yapıların imal edilmesinde kullanılan bir teknolojidir. MMIC yapılarında pasif devre elemanı olarak görev alan rezistöryapıların RF magnetron saçtırmasistemi ile üretimi ve karakterizasyonu, geliştirme çalışmalarına paralel olarak 4 nokta prob düzeneği ile yapılan elektriksel ölçüm sonuçlarına göre 30 ohm/sq değerine sahip tabaka direnci ile tasarıma uygun şekilde elde edildi.

MMIC chips, which are used in almost all of the microwave components that constitute the basic building blocks of monolithic microwave integrated circuits (MMIC), radar and electronic warfare applications, are among today's critical technologies. Developed with technically equipped infrastructure support, GaN-based MMIC chips have become the preferred choice for different working subjects due to the technology developed in recent years due to their high voltage and high temperature performance due to their high voltage and high frequency frequencies. MMIC technology is a technology used in the manufacture of specially designed structures for active and passive circuits on a single crystal bottomstone. The production and characterization of resistive structures, which serve as passive circuit elements in MMIC structures, with RF magnetron sputter system, were obtained according to the design with a resistivity of 30 ohm / sq.