Bazı polisilanların fotoiletkenlerinin incelenmesi

Abstract

ÖZET Bu çalışmada bazı polisilanların fotoiletkenlikleri xerografik yöntem kullanılarak araştırılmıştır. Araştırılan polisilanlar arasında polimetilfenilsilan, polibifenilmetilsilan ve bu homopolimerierin monomer birimlerinden oluşan kopolimerier ile homopolimerlerin küçük molekül ağırlıklı organik maddelerle dope edilmiş karışımları yeralmaktadır. Polibifenilmetilsilanda yük taşıyıcı generasyonu polimetilfenilsilana oranla daha verimli olarak gerçekleşmektedir ( F = l.l^VAn <I> = 0.028, aym koşullarda PMPSixdan 3-3.5 kat daha yüksek). Değişik dalgaboyunda ışık kullanılarak yapılan aydınlatmalarda düşük dalgaboylu ışıkla (254 nm) yüksek dalgaboylu ışığa (339 nm) oranla daha yüksek yük taşıyıcı kuvantum verimi sonuçlan alınmıştır. Polimetilfenilsilanın fotoiletkenliği yüksek elektron ilgisine sahip küçük molekül ağırlıklı organik bileşiklerin katılmasıyla artarak kloranil durumunda F= 1.108 V/ın de $ - 0.017 değerine ulaşmıştır. Polibifenilmetilsilan durumunda kuvantum verimini 2-2.5 kat artıran kloranil dışında aditiflerin yük taşıyıcı generasyonunu etkilemedikleri görülmüştür. Kopolimerlerde yük taşıyıcı kuvantum verimi kopolimerdeki bifenil miktarının artışıyla artmaktadır. Polimetilfenilsilamn kloranille olan kanşımlarında görünür ışıkla da yük taışıyıcıları oluşturulmaktadır. Anahtar sözcükler Polisilan, polibifenilmetilsilan, fotoiletkenlik

8. SUMMARY In this study, the photoconductivity of several polysilanes was examinated with the aid of the xerographic method. The following polymers were studied: poly(methylphenylsilylene) (PMPSi), poly(biphenylmethylsilylene) (PBMSi), mixtures of polysilanes with low molecular weight organic additives and copolymeres containing methylphenylsilylene and biphenyl- methylsilylene units. In the case of poly(biphenylmethylsilylene) the charge carrier generation is much more effective than in the case of poly(methylphenylsilylene).(at F = 1.108 V/m, <P = 0.028, i. e. 3-3.5 times higher than in PMPSi). Irradiation at short wavelength (254 nm) results in a higher quantum yield of charge carriers than irradiation at a longer wavelength (339 nm). The addition of additives with high electron affinity to PMPSi leads to an increase in the quantum yield of charge carriers. The best effect was found with chloranil (F = 1.108V/m, * - 0.017). In the case of PBMSi the additives only scarcely improve the generation of charge carriers apart from chloranil which increases O by the factor 2-2.5. Inthe case of copolymeres, O increases with increasing content of biphenyl. In mixtures of PMPSi with chloranil, charge carriers are also generated upon irradiation with visible light Key words: Polysilanes, poly(biphenylmethylsilylene), photoconductivity. 80