Gümüş ince filmlerin nanomürekkepli baskı tekniği ile geliştirilmesi

Abstract

Bu tez çalışmasında vakumsuz ve düşük maliyetli bir üretim tekniği olan Inkjet baskı yöntemi ile esnek alttaşlar üzerine Ag ince filmler üretildi. Bu çalışma ile hedeflenen temel amaç, inkjet yazıcı ile sensör, anten, baskı devre ve güneş hücreleri gibi birçok alanda kullanılmaya uygun, yüksek iletkenlikte ve çözünürlükte Ag filmler üretmektir. Bu amaç doğrultusunda 150 μm ile 1165 μm arasında değişen genişliklere ve 121 nm ile 294 nm arasında değişen kalınlıklara sahip Ag filmler, esnek Kapton alttaşlar üzerine 500 dpi ve 800 dpi çözünürlükte basıldı. Sonrasında basılan filmler 150 °C, 200 °C ve 250 °C sıcaklık değerlerinde 30 dakika, 40 dakika ve 50 dakika tavlandı. Tavlama işlemi ısıtıcı tabla üzerinde atmosfer koşullarında yapıldı. Tavlanan Ag filmlerin direnç ölçümleri yapıldı ve özdirençleri hesaplandı. Yapılan optimizasyon çalışmaları sonucunda, iletkenliği en yüksek olan Ag filminin 800 dpi çözünürlükte ve 250 °C tavlama sıcaklığında elde edildiği ve özdirencinin 1,68×10-6 Ω.cm olduğu görüldü.

In this thesis, Ag thin films on flexible substrate were produced with Inkjet printing method, which is a vacuum-free and low-cost production technique. The main purpose of this study is to produce high-conductivity and resolution Ag films suitable for using in many areas such as sensors, antennas, printed circuit and solar cells with an inkjet printer. For this purpose, Ag films with widths ranging from 150 μm to 1165 μm and thicknesses ranging from 121 nm to 294 nm were printed on flexible Kapton substrate at 500 dpi and 800 dpi resolution. Then, it was annealed at 150 °C, 200 °C and 250 °C for 30 min, 40 min and 50 min. Annealing was done on the heating table under atmospheric conditions. Resistance measurements of annealed samples were made, and their resistivity was calculated. As a result of the optimization studies, it was observed that the Ag film with the highest conductivity was obtained at 800 dpi resolution and with an annealing temperature of 250 °C and its resistivity was 1,68 × 10-6 Ω.cm.