Search
Now showing items 1-2 of 2
Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
(2018-08-06)
Bu çalışmada AlGaN ve InAlN bariyerli InGaN/GaN çoklu kuvantum kuyularına sahip AlQN/AlN/GaN/InGaN/GaN/AlGaN/AlN/GaN (Q=Ga,In) çokluyapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri 1-boyutlu kendini-eşleyebilen ...
Si3N4 ile pasive edilmiş AlGaN/GaN temelli çoklu yapılarda düşük alan iletimi ve sıcak-elektron iletimi çalışmaları
(2018-08-06)
AlGaN/GaN çokluyapıları günümüz modern elektroniği için yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulama alanlarında yaygın bir kullanım alanı bulmaktadır. Bu yaygın kullanım alanına rağmen AlGaN/GaN çokluyapılara ...