Search
Now showing items 1-1 of 1
MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
(2019-05-14)
Bu tez çalışmasında AlxGa1-xN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı c- yönelimli safir alttaş üzerine Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) yöntemiyle büyütüldü. Büyütülen yapının yapısal, optik, ...