Browsing TEZLER by Title
Now showing items 4821-4840 of 10681
-
Ilmonen-Haukkanen-Merikoski konjektürünün ispatı
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)2008 yılında Ilmonen, Haukkanen ve Merikoski, köşegen elemanları 1 olan nxn tipinden bütün (0,1) alt üçgen Y matrisleri için Y ve Y nin transpozunun çarpımlarının en küçük özdeğerlerinden en küçüğü ile ilgili bir konjektür ... -
Improving the transmission of UWB MB-OFDM system using adaptive modulation
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-07-02)Adaptif Modülasyon ve Kodlama, OFDM (Orthogonal Frequency Division Method)'de BER (Bit Error Rate)'i minizime etmeye yarayan bir yöntemdir. OFDM'in kullanıldığı haberleşme sistemlerinde Adaptif Modülasyon ... -
In dereceli ve derecesiz InxGa1-xN güneş pili yapılarının mozaik kusurlarının karşılaştırılması
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Metal Organik Kimyasal Buhar Çökertme (MOCVD) sistemi ile büyütülen x alaşım oranı dereceli ve derecesiz InGaN/GaN güneş pili yapıların özellikleri yüksek çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HRXRD), Atomik Kuvvet Mikroskopisi ... -
In0.51Ga0.49As ve In0.60Ga0.40As yarıiletkenlerinde mobilite hesaplamaları
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada Ino.51Gao.49As ve Ino.60Gao.40As yarıiletkenlerinde bireysel dislokasyon saçılmasından kaynaklanan Hail mobilitesi hesaplandı. İlgili yarıiletkenlerde muhtemel saçılma mekanizmalarının tümünü içeren ISBE ile ... -
InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada InAlN/GaN ve InAlN/AlN/GaN/AlN yüksek mobiliteli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Bu amaçla, her bir numunenin özdirenci, Hall mobilitesi ve taşıyıcı ... -
InAs yarıiletken kristalinde elektron iletimi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)InAs YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Durmuş DEMİR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ NİSAN 2004 ÖZET Bu çalışmada MBE (Molecular Işın Epitaksi) kristal büyütme yöntemi ile GaAs üzerine ... -
Incomplete q–Chebyshev polinomlarının özellikleri
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada birinci çeşit ve ikinci çeşit q−Chebyshev polinomlarının üreteç fonksiyonlarıelde edildi. Birinci çesit incomplete q−Chebyshev polinomları Tn^k(x, s, q) ve ikinciçeşit incomplete q−Chebyshev polinomları Un^k(x, ... -
Inconel 625 (AMS 5599) alaşımının diyaframla hidrolik şekillendirilmesinde geri esneme miktarlarının sayısal ve deneysel incelenmesi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-12-25)Uzay ve havacılık sanayisinin ihtiyaçları doğrultusunda geliştirilen Inconel 625 alaşımı geri esnemesi diğer çelik alaşımlarına göre açısal olarak daha fazla olan bir nikel bazlı bir süper alaşımdır. Form kalıbı tasarım ... -
Inconel 718 süper alaşımların işlenmesinde talaş kırılma problemleri ve talaş kırıcı tasarımı
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)INCONEL 718 SÜPER ALAŞIMLARIN İŞLENMESİNDE TALAŞKIRILMA PROBLEMLERİ VE TALAŞ KIRICI TASARIMI(Yüksek Lisans Tezi)Şener KARABULUTGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2006ÖZETÜretim işlemlerinin güvenirliği yeni ... -
Inconel 718 süperalaşım malzemenin PVD yöntemi ile AlTiN ve CrN kaplanması ve karakterize edilmesi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada Inconel 718 süperalaşım malzeme filtresiz katodik ark PVD yöntemi kullanılarak iki katman halinde 4 µm AlTiN ve iki katman halinde 8 µm kalınlığında CrN ile kaplanmışlardır. Kaplanmış numuneler kaplama ... -
Inconel 718`in delinebilirliğinin araştırılması
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmanın amacı, Inconel 718'in delinebilirliği için kuru kesme koşulları altında optimum delme şartlarını tespit etmektir. Bu amaçla, süper alaşım Inconel 718'in kaplamalı ve kaplamasız karbür matkaplarla ... -
InGaAs temelli güneş pili yapılarının kusur analizi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)(100) ve (110) GaAs alt taşlar üzerine büyütülen iki InGaAs kuantum kuyulu güneş pili, Moleküler Demet Epitaxy ile hazırlandı. Farklı (100) ve (110) yörüngeli GaAs alt taşlar üzerine tavlama etkileri yüksek çözünürlüklü ... -
InGaAs/InP ve InGaAs/GaAs kuantum kuyulu güneş hücrelerinin üretimi ve karakterizasyonu
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu tez çalışması kapsamında, InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GS174 için GaAs ve GS249 için InP alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen GS174 ve GS249 QWSC ... -
InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada kullanılan 1,3 ve 1,55 ?m ışıma dalgaboylu InxGa1-xAsyP1-y/InPçoklu kuantum kuyulu lazer diyot yapıları metal organik kimyasal buharbiriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen yapıların çatı dalgakılavuzlu ... -
InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, farklı kalınlıklarda InGaN ve GaN kanal tabakaya sahip In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN ve In0.17Al0.83N/AlN/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim özellikleri ... -
Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet InxGa1-xNkuvantum kuyulu AlInN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapı için Hall ölçümleri ve özdirenç analizleri gerçekleştirildi. Özdirenç, Hall hareketliliği ve taşıyıcı ... -
InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs ... -
IngGaAs kızılötesi fotodedektör üretimi ve karakterizasyonu
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu tez çalışmasında, InGaAs tabanlı kızılötesi fotodedektörler üretilerek, karakterize edildi. Dedektör üretiminde kullanılan, InGaAs/InP yarıiletken yapıları moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemi ile büyütüldü. Büyütülen ... -
InP bazlı Schottky diyotlarda I-V, C-V, DLTS çalışmaları
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada LEC tekniğiyle büyütülmüş p-InP ve MBE tekniğiyle büyütülmüş n-InP yarıiletken malzemeleri kullanarak hazırlanan Sn/p-InP ve Au/n-InP Schottky engel diyotların (SBDs) geniş bir sıcaklık aralığında akım-voltaj ... -
Interval and parametric linear programming and fuzzy data envelopment analysis-neural approach models with the application in Turkish banks
(GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-06-24)Bu çalışmada, bulanık sayıları ile etkinlik skorlarını sıralamak için yeni yaklaşımlar önerilmiştir. Çoğu bulanık veri zarflama analizi (VZA ) modelleri literatürde alfa kesimleri üzerine yapılandırılan parametrik modellerdir. ...